标签:闪存

一步消除了冯·诺依曼共存的光子计算元素和非易失性内存瓶颈
通过技术论文链接- 14,2023 -评论:0

技术论文题为“非易失性通过光学异构III-V /硅光子学电荷捕获记忆”是惠普的研究人员公布的企业。“我们首次证明,非易失性电荷捕获闪存(CTM)共存与异构III-V / Si光子学。的wafer-bonded III-V / Si CTM细胞促进非易失性光学功能很多…»阅读更多

探索世界的闪存:串行,双,四,八进制接口
通过Dharini Subashchandran- 08年6月,2023 -评论:0

由Dharini SubashChandran和Manoj Kachadiya数字数据存储、闪存已经成为一个不可或缺的技术。非易失性闪存设备存储解决方案,可以保留数据即使没有能力。被广泛应用于各种应用程序,包括智能手机、数码相机、USB驱动器,固态硬盘(ssd)。在这篇文章中,我们将delv……»阅读更多

LPDDR Flash在汽车
通过埃德·斯珀林——5月15日,2023 -评论:0

新的汽车架构提高挑战如何有效且高效地利用内存。LPDDR接口为flash允许不同的处理器利用多个银行的闪存,这反过来又降低了延迟和干扰。Sandeep Krishnegawda,营销副总裁和应用程序在英飞凌,谈到了新区域控制器在汽车设计和…»阅读更多

汽车电子系统的隐藏的安全风险
通过Adrian Cosoroaba- 06年4月,2023 -评论:0

物联网(物联网)正在推动新功能正在改变我们的生活方式,工作和娱乐。然而,随着我们的生活变得更加紧密,黑客和其他安全漏洞的风险随着每一个新的物联网设备。虽然我们大多数人都很精通为什么我们需要保持我们最信任的设备安全,如手机和笔记本电脑,我们经常不认为……»阅读更多

铁电记忆:中间立场
通过凯瑟琳德比郡——1月19日,2023 -评论:0

在本系列的第一篇文章被认为是铁电体的使用提高晶体管阈下摇摆行为逻辑。铁电体的前景在逻辑应用程序是不确定的,但铁电记忆有明显的优势。两种最常见的商业记忆躺在对立的两端。DRAM是快,但要求恒功率保持备用…»阅读更多

基于内存的网络攻击变得更加复杂,难以检测
通过官约翰11月- 03 2022 -评论:0

记忆是成为网络攻击的入口点,提高对系统级安全的担忧,因为记忆是几乎无处不在的电子和违反很难检测到。没有尽头的黑客针对几乎所有消费者,工业和商业领域,越来越多的这些设备连接到互联网和彼此。根据……»阅读更多

有限制的层数3 d-nand ?
通过凯伦·海曼8月24日,2022 -评论:1

内存厂商竞相添加更多的层3 d NAND,竞争激烈的市场中由数据的激增和需要高容量固态硬盘和更快的访问时间。微米已经232 -层与非订单,和不甘示弱,SK海力士宣布将开始卷制造238 - 512 gb三层水平细胞(TLC) 4 d NAND上半年的未来……»阅读更多

使更可靠和更高效的汽车ICs
通过埃德·斯珀林2022年5月- 05 -评论:0

山姆格哈,英飞凌科技内存解决方案的执行副总裁,坐下来谈论汽车芯片,与半导体工程供应链问题和集成挑战。以下是摘录的谈话。SE:你如何建立一个汽车芯片,在任何环境下工作吗?当然,格哈:汽车市场需求的一个最…»阅读更多

垂直堆叠,低压有机三元逻辑电路包括非易失性浮栅存储器晶体管
通过技术论文链接2022年5月- 02年-评论:0

韩科院和Gachon大学的研究论文。抽象“多值逻辑(MVL)电路基于异质结晶体管(HTR)已成为高密度信息处理的一种有效策略,在不增加电路的复杂性。逆变器,有机三元逻辑(T-inverter)证明,在非易失性浮栅闪存是用来…»阅读更多

微米B47R 3 d周大福CuA NAND死,世界上第一个176升(195吨)
通过Jeongdong Choe8月19日,2021 -评论:0

微米176 l 3 d NAND是世界上第一个176 l 3 d NAND闪存。TechInsights只找到了512 gb 176 l死(B47R死亡标记)并迅速查看其过程,结构和模具设计。微米176 l 3 d NAND是迄今为止最突破性的技术之一,它尤其等存储应用程序数据中心,5 g, AI,云,智能优势,和移动设备。小姐……»阅读更多

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