标签:内存设计

现代内存设计会议的重大挑战
通过Synopsys对此——4月26日,2023 -评论:0

记忆是每个电子的核心应用程序,和需求正在增长。用户希望更大容量、吞吐量和可靠性。同时,上市时间(TTM)目标和竞争压力要求在更短的项目计划开发记忆。这些要求对设计师的离散存储芯片施加巨大的压力,内存死于2.5……»阅读更多

数字化存储设计和验证加速开发周转时间
通过Anand Thiruvengadam10月- 10,2022 -评论:0

由法拉兹-法曾Rasteh Anand Thiruvengadam Preeti Jain,吉姆·舒尔茨一些数字设计和验证工程师想象他们的同事在模拟/混合信号(AMS)芯片是嫉妒。毕竟,数字开发流程的好处增加多年自动化和更高层次的抽象。我们Hand-instantiated设备和手动互联…»阅读更多

综合模型的电子导电氧化物记忆性设备
通过技术论文链接2022年2月- 03(-评论:0

抽象的“记忆性设备两端的设备是可以改变他们的电阻状态在应用适当的电压刺激。电阻可以调整在一个多位数电阻范围宽等使应用程序数据存储或模拟computing-in-memory概念。的一个最有前途的阶级记忆性设备是基于氧化价变化机制……»阅读更多

时间重新考虑内存芯片设计和验证
通过Anand Thiruvengadam2021年8月- 12 -评论:1

这已经不是什么秘密,任何半导体发展变得更具挑战性。每个新工艺节点包更多的晶体管到每个死,创造更多的电,使散热困难的问题。平面布置图、逻辑综合、地点和路线,时间分析、电分析和功能验证延伸电子设计自动化(EDA)工具……»阅读更多

系统:10月6日
通过安Mutschler- 06年10月,2015 -评论:0

毛孔细小的石墨烯传感器的基本工作,可能会引导当前和未来的石墨烯膜设计原则在未来的几年中,麻省理工学院的研究人员创造了单层石墨烯上的微细小孔阵列的偏好和特点类似于活细胞的离子通道,这可能是有用的传感器。研究人员指出,e……»阅读更多

频率越高意味着更多的内存
通过安Mutschler1月- 16,2015 -评论:0

随着soc越来越复杂,由于更高的频率或添加更多的功能,是否有溢出效应在带宽、[getkc id = " 22 " kc_name = "记忆"]和权力。没有简单的方法把时钟频率在一个复杂[getkc id = " 81 " kc_name =“SoC”]。相对简单的目标可能会需要更多的权力领域,更多的内核,更多的方法将团体…»阅读更多

的崛起Layout-Dependent效果
通过安Mutschler- 2月28日,2013 -评论:0

由安Steffora Mutschler设计对于今天的先进半导体制造过程节点区域,速度,力量和其他福利也新的性能挑战的纯物理的运行电流通过细小的电线。LDE Layout-dependent效果(),它出现在40纳米,28岁和20 nm产生更大的影响,引入变化电路……»阅读更多

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