摘要
记忆器件是两端器件，可以在施加适当的电压刺激后改变其电阻状态。该电阻可以在一个广泛的电阻范围内进行调整，使应用程序，如多比特数据存储或模拟计算在内存概念。基于氧化物基器件的价变机制是最有前途的一类忆阻器件。在这些器件中，氧缺陷的配置变化，即氧空位，导致器件电阻的变化。为了设计具有特定电阻特性的记忆器件，必须从微观上了解传导。在本文中，我们讨论了文献中提出的传导机制，并提出了这类器件传导机制的全面、微观模型。为了发展这一微观图像的传导，从头计算仿真模型的发展。这些模拟表明了两种不同类型的传导，它们都受到金属电极接触处肖特基势垒隧穿的限制。两种传导机制之间的区别如下:对于第一种类型，电子隧穿到传导带，而在第二种类型中，电子隧穿到空位缺陷状态。这两种类型的导电不同于他们的电流电压关系，这已被实验检测。 The origin of the resistive switching is identical for the two types of conduction and is based on a modification of the tunneling distance due to the oxygen vacancy induced screening of the Schottky barrier. This understanding may help to design optimized devices in terms of the dynamic resistance range for specific applications.”
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卡斯滕·芬克，斯蒂芬·门泽尔*
ACS达成。电子。脱线，2021,3,9,3674 - 3692
出版日期:2021年9月7日
https://doi.org/10.1021/acsaelm.1c00398
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