三个挑战脱颖而出——扩展性能和容量;确保硅安全性和可靠性;和减少开发时间。
记忆是每个电子的核心应用程序,和需求正在增长。用户希望更大容量、吞吐量和可靠性。同时,上市时间(TTM)目标和竞争压力要求在更短的项目计划开发记忆。这些要求对设计师的离散存储芯片施加巨大的压力,内存死于2.5 d / 3 d配置,和记忆嵌入系统
芯片(SoC)的设备。
在记忆的许多挑战设计,三个突出:扩展性能和容量;确保硅安全性和可靠性;发展和减少周转时间(乙)。本白皮书讨论这些挑战,描述了可行的解决方案的要求,并介绍了Synopsys对此方法解决的挑战。提出了创新在内存中发展的四个主要方面:设计技术共同改进,内存设计左移位,记忆的数字化设计和可靠性设计。
点击在这里阅读更多。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
留下一个回复