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DRAM:动态随机存取记忆体

单个晶体管内存,需要刷新
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动态随机存取记忆体(DRAM)将数据存储在一个电容器。这些电容电荷泄漏信息会消失,除非负责定期刷新。因为这个更新的要求,这是一个动态内存而不是SRAM和其他静态内存。

DRAM的优点是结构简单性:只有一个晶体管和电容器每一点是必需的,而SRAM六个晶体管。这允许DRAM达到非常高的密度。

几个新类型的DRAM正在开发利用特点,绝缘体上硅(SOI)。而不是使用电容器存储值,生产过程中固有的浮体效应。等商业变异双晶体管RAM (TTRAM)正在开发的瑞萨和Z-RAM零电容器RAM在发展创新的硅。

铁电随机存取存储器(FeRAM或弗拉姆号)是一种随机存取存储器类似建筑DRAM但使用铁电层而不是实现non-volatility介电层。

在今天的系统中,内存/存储层次结构很简单。SRAM的处理器集成到缓存。DRAM用于主内存。磁盘驱动器和固态存储驱动器用于存储。

DRAM是基于有关晶体管,一个电容(1 t1c)细胞结构。细胞排列在一个矩形,栅格阵列。简而言之,一个电压的晶体管DRAM单元。然后给出一个数据值的电压。然后放在一个位线。这反过来指控存储电容器。每一位的数据被存储在电容器中。

随着时间的推移,电容器中的电荷泄漏或放电时,晶体管关闭。因此,必须刷新数据存储在电容器每64毫秒。

产业规模已经设法DRAM几十年了。但是很快,DRAM将失去动力,因为它是规模1 t1c细胞变得更加困难。除了20 nm,预计DRAM规模两个或三个迭代1 xnm政权,也被称为1 xnm 1 ynm和1 znm。

DRAM是罗伯特Dennard博士发明的IBM 1966年托马斯·沃森研究中心。


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