是什么导致一个摆动活跃区域,有一个大型设备整体电气性能的影响。
摘要摆动活跃区域(鳍)在一个高级1 x DRAM过程分析和建模使用pattern-dependent腐蚀SEMulator3D半导体建模软件的仿真功能。密度不均匀性在侧壁钝化引起的硬掩模图形加载被确认为摆动概要的根源。校准模型模仿这些现象,几乎相同的输出AA形状真正的制造过程。摆动概要文件对设备性能的影响评估使用内置的drift-diffusion SEMulator3D解算器。我们的分析证实,摆动概要文件,由micro-loading pattern-dependent腐蚀时,有一个大型设备整体电气性能的影响。这是尤为明显的断开的泄漏,主要是由于糟糕的胖鳍drain-induced屏障降低效果。
点击在这里继续阅读。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
留下一个回复