在最新的高速存储器中，处理数据错误需要多种方法。
随着DRAM制造从1x到1y再到1z，进一步发展到1a、1b和1c节点，随着DRAM设备速度提高到LPDDR5的8533和DDR5的8800，数据完整性正成为一个非常重要的问题，原始设备制造商和其他用户必须考虑作为系统的一部分，依赖于存储在DRAM中的数据的正确性，系统才能按照设计工作。
这是一个复杂的问题，需要多种方法来解决。
传统上，处理数据错误的主要方法之一是依赖ECC。ECC需要额外的内存存储，其中ECC代码将在内存写入DRAM时被计算和存储。在读取过程中，这些代码将与内存数据一起被读回，并根据数据进行检查，以确保没有错误。典型的ECC方案使用汉明码，每次爆发提供单比特误码纠正和双比特误码检测。此外，虽然前几代DRAM需要主机留出系统内存用于ECC存储，但最新的DRAM(如LPDDR5和DDR5)支持die ECC作为常规DRAM功能的一部分，可以使用模式寄存器启用。DDR5进一步要求主机在平均每个tECSint时间(平均周期ECS间隔)运行ECC错误检查和擦洗周期，以防止数据错误。
不满足DRAM刷新要求是可能导致数据丢失的主要因素。这可能具有挑战性，因为PVT变化可能导致刷新需求随时间变化。将DRAM置于Self Refresh模式可以帮助将刷新跟踪责任卸载给DRAM，但可能会阻止主机进行其他调度优化，应该仔细考虑。
其他一些可能影响DRAM数据的因素有:
对于传输和制造错误，dram支持额外的功能，如CRC, DFE, Pre-Emphasis和PPR。
Cadence MMAV VIPs DDR5/DDR5 DIMM和LPDDR5是压缩VIP解决方案，支持上述所有数据完整性特性，包括支持ECC错误注入和SBE校正/DBE检测，以协助处理数据完整性问题的验证挑战。
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