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标签:纠错编码

数据完整性电平DRAM的记忆
通过Shyam沙玛——7月19日,2022 -评论:0

与DRAM制造推进从1 x 1 y z和进一步1,1 b, c和1节点随着DRAM设备速度上升为DDR5 LPDDR5 8533和8800年,数据完整性也成为一个非常重要的问题,厂商和其他用户必须考虑作为系统的一部分,依赖于所存储数据的正确性后发展出的系统设计工作。我…»阅读更多

苏黎世联邦理工学院介绍ProTRR, dram中Rowhammer缓解
通过技术论文链接- 5月30日,2022 -评论:0

新技术论文题为“PROTRR:原则优化dram中目标行刷新”从苏黎世联邦理工学院。本文提出了在第43届IEEE研讨会上安全和隐私(SP 2022),旧金山,美国,2022年5月22日至26日,CA。这个新介绍ProTRR,“dram中Rowhammer缓解安全与声东击西,小说Rowhammer攻击。”The related video presentation can...»阅读更多

更多的错误,修正在记忆
通过布来安梅奥- 09年11月,2021 -评论:1

任何类型的记忆一些细胞变小,误比特率增加由于低利润率和过程变化。这可以使用纠错处理占并纠正一些错误,但更复杂的纠错码(ECC),它需要更多的硅区域,进而推高了成本。鉴于这一趋势,成本的迫在眉睫的问题是……»阅读更多

设计师需要了解什么纠错码(ECC)在DDR记忆
通过Vadhiraj Sankaranarayanan领导12月- 10,2020 -评论:2

对于任何电子系统,内存子系统中的错误可能是由于设计故障/缺陷或电噪音的任何一个组件。这些错误分为hard-errors(设计造成的故障)或软件出错(由系统噪声或数组内存位翻转由于阿尔法粒子,等等)。在运行时处理这些内存错误,内存subsyst……»阅读更多

驯服小说NVM非确定性
通过布来安梅奥2020年3月- 10 -评论:1

新的内存技术可能不确定的特点,添加校准测试负担,一生中可能需要调整。这些记忆是发展的结果搜索记忆存储类(SCM)技术,桥梁之间的差距大,记忆像flash和更快的DRAM内存慢。有几个出路……»阅读更多

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