评估使用Nitride-Oxide-Nitride寄生电容的影响(非)垫片,低k垫片,一个空隙垫片。
减少动态随机存取记忆体(DRAM)细胞大小,产品过程开发已经变得越来越困难。位线(提单)传感利润率和刷新时间已成为问题的细胞大小减少,由于提单增加寄生电容(Cb)。影响的主要因素b是提单和节点之间的寄生电容接触(CBL-NC)[1]。减少CBL-NC、低k间距器和空气隙间距器是可选的结构,提出了用于DRAM存储单元的体系结构。
如果基础实验可以用来评估新的流程集成方案,这些低k和空气隙间隔结构,但在实践中这是费时和昂贵的。在这项工作中,我们将演示如何使用虚拟制造评估新的流程集成方案,以减少DRAM bitline寄生电容[2]。我们将审查C的模拟研究BL-NC使用Nitride-Oxide-Nitride(非)间隔的改善和评估使用低k垫片或空隙垫片。这个分析的目的是获得一个量化对比各种集成方案(无/低k /空气隙间隔集成方案)和流程开发人员提供明确的指导。
虚拟结构建成使用SEMulator3D虚拟制造平台。图1显示了最后使用非间隔(a)结构,性能垫片(b)和空气隙间隔(c),非间隔由Nitride-Oxide-Nitride结构。低k垫片取代氮化(SN)与低k,形成低k-Oxide-low k间隔结构。氧化空气隙垫片是由蚀刻一个虚拟(牛)间隔形成Nitride-air-Nitride间隔结构。虚拟结构建成后,电容提取进行了评估BL-NC使用不同的流程集成方案性能。
图1:(a)不,低k (b)和(c)空气隙间隔。
图2:CBL_NC在不同的集成方案
图2显示电容提取结果使用我们选择的集成方案。位线垫片材料的性能改善C集成方案BL_NC约16%相比,原非位线的间隔。空隙垫片集成方案提高了CBL_NC约33%相比,原非间隔配置。
在这项研究中,虚拟制造是用来评估不同流程集成方案减少位线寄生电容在一个先进的产品结构。虚拟评价提供了明确和量化的指导,帮助指导开发人员在他们选择的集成方案,可以改善一个先进的DRAM的寄生电容结构。
[1]问:汉族,m . Cai b .吴邦国委员长和k Cao.2020 IEEE 15固态与集成电路技术国际会议(ICSICT) 2020年,页1 - 3。
y De[2]问:Wang Chen j .黄文森特和j·欧文。2022年中国半导体技术国际会议(CSTIC) 2022年,页1 - 4。
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