标签:寄生电容

比较评价DRAM位线间隔的集成方案
通过邓普西邓3月- 16,2023 -评论:0

减少动态随机存取记忆体(DRAM)细胞大小,DRAM过程开发变得越来越困难。位线(提单)传感利润率和刷新时间已成为问题的细胞大小减少,由于提单增加寄生电容(Cb)。的主要因素影响Cb是提单和节点之间的寄生电容接触(CBL-NC) [1]。减少……»阅读更多

在FEOL创建空隙减少寄生电容
通过Sumant Sarkar11月17日,2022 -评论:0

减少门金属之间的寄生电容和晶体管的源/漏接触可以减少设备切换延迟。减少寄生电容的一个方法是降低材料的有效介电常数之间的层门和源/漏。这可以通过创建空隙介质材料在这个位置。这种类型的工作一直做…»阅读更多

识别DRAM失败造成的泄漏电流和寄生电容
通过Taeyon (TY)哦2020年2月- 03(-评论:0

泄漏电流是DRAM设计设备故障的主要原因,从20纳米技术节点。泄漏电流在DRAM设计问题可能导致可靠性问题,即使没有明显的结构异常底层设备。泄漏电流在DRAM设备设计已成为一个重要的组成部分。图1 (a) DRAM内存单元,(b)胃肠道……»阅读更多

FinFET设备性能如何外延过程变化而受到影响
通过杰克黄- 9月25日,2019 -评论:0

由Shih-Hao(杜松子酒)黄和陈于De需要晶体管规模更小尺寸继续按技术设计师,寄生电阻和电容的影响可以达到甚至超过晶体管性能的其他方面,如边缘电容或源漏电阻。设备的总电阻是由两个组成部分:内部再保险……»阅读更多

技术讨论:5/3nm寄生
通过埃德·斯珀林2018年2月- 22(-评论:0

Synopsys对此首席研发工程师拉尔夫•艾弗森谈到寄生提取5/3nm和什么期望与新材料和门结构如gate-all-around场效应晶体管和垂直纳米线场效应晶体管。https://youtu.be/24C6byQBkuI»阅读更多

使用空气间隙减少BEOL寄生电容
通过迈克尔Hargrove- 10月19日,2017 -评论:0

减少back-end-of-line (BEOL)互连寄生电容为先进技术节点发展仍是一个重点。多孔性能介电材料被用来实现减少电容,然而,这些材料仍然很脆弱和容易的可靠性问题。最近,气隙被成功纳入14纳米技术[1],和众多方案……»阅读更多

不确定性的增加5 nm, 3海里
通过马克LaPedus12月19日,2016 -评论:4

一些芯片制造商增加10 nm finFET过程,与7海里指日可待,研发已经开始5海里。事实上,一些已经在场上移动全速前进。[getentity id = " 22586 "评论=“台积电”)最近宣布计划建立一个新的工厂在台湾,耗资157亿美元。该工厂是针对生产台积电5和3 nm流程,制作……»阅读更多

鳍和电线——我们怎么得到5海里?
通过迈克Chudzik- 8月18日,2016 -评论:0

随着行业超越10 nm的7和5 nm节点,基本转变需要地址扩展的挑战。重点关注驾驶行业变化中,尤其是对材料和结构,是影响晶体管的性能上升寄生电阻和寄生电容或RC。我最近谈到了这个行业的困境在半导体…»阅读更多

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