回顾一个混合内存架构的建议，该架构在增强的闪存前使用了硬件管理的DRAM。
作者:
弗雷德制品,(1）哈维尔·布埃诺（2）Liji Gopalakrishnan)(1）布伦特Haukness,(1）克里斯•海伍德(1）托尼胡安,（2）埃里克•Linstadt(1）Sally A. McKee，（3）史蒂文·c·吴，(1）Kenneth L. Wright，(1）克雷格•Hampel(1）加里·布朗。(1）
(1) Rambus公司加州森尼维尔市
(2)西班牙巴塞罗那Metempsy
克莱姆森大学，南卡罗来纳州
快速发展的工作负载和爆炸性增长的数据量给数据中心计算、IO和内存性能带来了巨大压力，尤其是内存容量。增加内存容量需要相应降低每比特的内存成本。DRAM技术的扩展一直在稳定地提供可负担的容量增长，但DRAM的扩展正在迅速达到物理极限。其他技术如闪存、增强型闪存、相变存储器和自旋转矩传递磁性RAM有望以较低的每比特成本创造高容量存储器。然而，这些技术具有需要仔细管理的属性。
我们提出了一种混合内存架构，在增强型闪存前使用硬件管理的DRAM，其读取延迟比传统闪存低得多。我们在不同技术参数的背景下探索这种SCM设备的设计空间，评估数据中心工作负载的性能和持久性。我们的混合内存架构在商业上是可实现的，并且可以使用标准的DIMM尺寸，使其进入市场的门槛很低。我们发现，对于像媒体流这样的工作负载，增强型闪存可以与DRAM相结合，以23%的成本使相同容量的仅DRAM系统的性能提高88%，即使考虑到由于磨损造成的更换成本。最重要的是，每性能成本比DRAM高出3.8倍。
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