中文 英语

标签:闪光

三星PM9A3所有Flash参考平台
通过三星- 2022年12月14日-意见:0

软件定义存储在现代数据中心存储市场继续获得动力。随着数据中心存储基础设施和技术的发展，对存储系统的速度和灵活性的需求变得明显。NVMe是这些进步的前沿。Weka是一个软件定义的存储系统，旨在满足当今I/O密集型工作负载的需求。它……»阅读更多

使用安全闪存减少联网汽车和工厂的安全漏洞
通过英飞凌- 2022年10月5日-评论:0

分析人士估计，今年在美国销售的所有汽车中，超过一半将配备互联网连接功能。Gartner认为，到2023年，将有超过75万辆具备自动驾驶功能的汽车下线。随着越来越多的车辆联网并实现自动驾驶，坏人控制道路上汽车的可能性是非常现实的，而且很可能会变得……»阅读更多

内存设计如何优化系统性能
通过官约翰- 2022年9月21日-评论:0

数据的指数级增长以及对提高数据处理性能的需求催生了各种处理器设计和封装的新方法，但这也推动了内存方面的巨大变化。虽然底层技术看起来仍然非常熟悉，但真正的转变在于这些内存与系统中处理元素和各种组件的连接方式……»阅读更多

制造更可靠、更高效的汽车集成电路
通过埃德·斯珀林- 2022年5月5日-意见:0

英飞凌科技(Infineon Technologies)内存解决方案执行副总裁Sam Geha与《半导体工程》(Semiconductor Engineering)聊了聊汽车芯片、供应链问题和集成挑战。以下是那次谈话的节选。SE:你们如何打造一款在任何环境下都能工作的汽车芯片?格哈:汽车市场当然是需求最大的市场之一……»阅读更多

SOT-MRAM将挑战SRAM
通过布来安梅奥- 2022年1月13日-评论

在新的非易失性存储器(NVM)技术时代，另一种变体正准备加入竞争——一种名为自旋轨道转矩(SOT-MRAM)的新版本MRAM。让它特别有趣的是，它有可能在某一天取代片上系统(soc)和其他集成电路中的SRAM阵列。SOT-MRAM技术的主要优点是具有良好的可靠性。»阅读更多

错误越多，记忆越正确
通过布来安梅奥- 2021年11月9日-评论

当任何类型的存储位元变得越来越小时，由于较低的裕度和过程变化，误码率会增加。这可以通过纠错来处理和纠正比特错误，但随着使用更复杂的纠错码(ECC)，它需要更多的硅面积，这反过来又提高了成本。鉴于这种趋势，迫在眉睫的问题是……的成本是否……»阅读更多

MRAM正向多个方向发展
通过布来安梅奥- 2021年3月11日-评论

磁阻存储器(MRAM)是面向广泛商业应用的几种新型非易失性存储器技术之一，但将MRAM设计到芯片和系统中并不像添加其他类型的存储器那么简单。MRAM并不是一种万能的技术。它需要根据预期的目的进行调整。瞄准闪存的MRAMs不会像瞄准sram那样好，反之亦然。»阅读更多

处理亚阈值变化
通过布来安梅奥- 2020年11月12日-评论:0

芯片制造商正在推进亚阈值操作，以延长电池寿命并降低能源成本，这给设计团队带来了一系列全新的挑战。虽然工艺和环境变化长期以来一直是先进硅工艺节点的关注点，但大多数设计都在标准的“超阈值”制度下运行。相比之下，子阈值设计具有独特的变化。»阅读更多

半导体存储器的发展和当前的挑战
通过迈克尔Hargrove- 2020年7月16日-意见:0

第一个全电子存储器是1947年在曼彻斯特大学开发的威廉姆斯-基尔本电子管。它使用阴极射线管在屏幕表面以点的形式存储比特。从那时起，计算机存储器的发展包括了许多磁存储器系统，如磁鼓存储器、磁芯存储器、磁带驱动器和磁泡存储器。自从19…»阅读更多

中国加快先进芯片开发
通过马克LaPedus- 2020年6月22日-评论:18

在与西方持续的贸易紧张局势下，中国正在加快推进国内半导体产业，希望能够更加自给自足。该国在集成电路技术方面仍然落后，离自力更生还很远，但正在取得显著进展。直到最近，中国国内芯片制造商还停留在成熟的代工工艺上。»阅读更多

←老帖子

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权所有©2013-2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu