作者:Nezam Rohbani __ (IPM);新浪Darabii§(谢里夫);哈米德Sarbazi-Azad __我§(谢里夫/ IPM):
__计算机科学学院的基本科学研究所(IPM),德黑兰,伊朗§计算机工程系,伊朗德黑兰沙里夫理工大学的
文摘:
“尽管DRAM容量和带宽急剧增加的技术和标准的发展,其每个访问延迟和能量在最近几代人几乎保持不变。DRAM电力/能源的主要部分是通过读、写,并刷新操作,所有由预先充电阶段。预先充电阶段不仅带来大量的能源消耗,同时也增加了延迟关闭内存块中的一行打开另一个。row-hit率最近工作量减少,尤其是在多核系统中,预先充电加息加剧DRAM功耗和访问延迟。这项工作提出了一个新颖的DRAM结构,称为Precharge-Free DRAM (PFDRAM),消除了DRAM的预先充电阶段。PFDRAM使用电荷bitlines从之前的激活阶段,下一个激活的起点。PF-DRAM之间的差异和传统DRAM结构仅限于预先充电和均衡器电路读出放大器和简单的修改,都局限于子数组的水平。PF-DRAM兼容主流标准DDRx和HBM电平内存,在内存中以最小的修改控制器。此外,几乎所有的先前提出减少电力/能源技术在DRAM仍适用于PF-DRAM进行进一步的改进。我们的实验结果在8 GB内存系统上运行规范CPU2017和2.1秒差距平均工作负载显示内存功耗降低35.3%(54.2%)通过该系统使用PF-DRAM使用传统DRAM的系统。 Moreover, the overall performance is improved by 8.6%, in average (up to 24.3%). According to our analysis, all such improvements are achieved for less than 9% area overhead.”
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技术论文发表于ACM和IEEE 2021年第48届国际研讨会上计算机体系结构。
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