标签:弗拉姆号

数据保留性能0.13µm F-RAM记忆
通过英飞凌- 01年6月,2022 -评论:0

F-RAM(铁电随机存取存储器)是一种非易失性内存,使用铁电电容来存储数据。它提供了更高的速度通过flash / eepm写。本白皮书提供简要概述数据保留F-RAM内存的性能。请点击这里查看更多。»阅读更多

数据保留性能0.13 -μm F-RAM记忆
通过英飞凌- 06年4月,2022 -评论:0

F-RAM(铁电随机存取存储器)是一种非易失性内存,使用铁电电容来存储数据。它提供了更高的速度通过flash / eepm写。本白皮书提供简要概述数据保留F-RAM内存的性能。点击这里阅读更多。»阅读更多

更多的错误,修正在记忆
通过布来安梅奥- 09年11月,2021 -评论:1

任何类型的记忆一些细胞变小,误比特率增加由于低利润率和过程变化。这可以使用纠错处理占并纠正一些错误,但更复杂的纠错码(ECC),它需要更多的硅区域,进而推高了成本。鉴于这一趋势,成本的迫在眉睫的问题是……»阅读更多

博客评论:7月15日
通过杰西·艾伦- 7月15日,2020 -评论:0

Synopsys对此迈克Borza解释说美国国防部高级研究计划局的自动实现安全的硅(中特别有指导性计划,为什么优先安全芯片开发和制造过程中是如此重要。导师的雅各Wiltgen早期检查出准确周期安全分析,借助于自动化,可以帮助避免未满足的安全目标和昂贵的问题后循环迭代。节奏的保罗……»阅读更多

嵌入式相变内存中
通过马克LaPedus——2019年1月24日——评论:3

下一代嵌入式应用程序内存市场正变得越来越拥挤的另一个技术出现arena-embedded相变内存。相变内存并不新鲜,几十年来一直在进行。但这项技术已经不再商业化在技术和成本的挑战。相变内存,一个存储数据的非易失存储器类型……»阅读更多

铸造厂看到增长,2019年新问题
通过马克LaPedus12月17日,2018 -评论:0

硅铸造业务有增长的趋势在2019年,尽管该行业面临着几个挑战明年在多个细分市场。一般来说,在2018年铸造供应商看到稳步增长,但许多人今年结束在一个不和谐的音符。苹果的新iPhone XR需求疲软和低迷cryptocurrency市场影响了IC供应商和铸造厂,导致t…»阅读更多

下一代内存加大
通过马克LaPedus8月- 16,2018 -评论:6

下一代内存市场升温供应商坡道的新技术,但也有一些挑战,这些产品将成为主流。多年来,该行业一直致力于各种内存技术,包括碳纳米管RAM,弗拉姆号,MRAM,相变内存和ReRAM。有些是航运,而另一些则在研发。每个内存类型是迪…»阅读更多

一个新的记忆的竞争者?
通过马克LaPedus1月- 02年,2018 -评论:1

势头正在建设的一个新类铁电记忆可能会改变下一代记忆的风景。一般来说,铁电体与内存类型称为铁电相关联公羊(弗拉姆号)。几家供应商在1990年代末推出,弗拉姆号是低功耗,非易失性的设备,但他们也限于利基应用程序和无法规模超过130海里。虽然……»阅读更多

ReRAM怎么了?
通过马克LaPedus- 9月21日,2017 -评论:8

电阻RAM (ReRAM),少数几个正在开发新一代的记忆,终于获得牵引经过多年的挫折。富士通和松下共同加大第二代ReRAM设备。此外,横梁抽样40 nm ReRAM技术,这是由中国的中芯国际在铸造的基础上。不甘示弱,台积电和联华电子最近把ReRAM……»阅读更多

旋转扭矩MRAM是什么?
通过马克LaPedus8月17日,2017 -评论:0

内存市场会在几个不同的方向。在一个方面,传统的内存类型,如DRAM和闪存,仍然是主力技术。然后,一些供应商准备下一代的记忆类型。进行的一个系列,半导体工程将探索新的和传统的内存技术发展的方向。对于这部分,P…»阅读更多

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