铁电随机存取存储器(FRAM)的效率。
F-RAM(铁电随机存取存储器)是一种使用铁电电容器存储数据的非易失性存储器。它提供了更高的写入速度超过闪存/EEPROM。本白皮书简要介绍了F-RAM存储器的数据保留性能。
点击在这里阅读更多。
评论*
的名字*(注:此名称将公开显示)
电子邮件*(不会公开展示)
Δ
新的应用需要对不同类型DRAM的权衡有深刻的理解。
定制化、复杂性和地缘政治紧张局势是如何颠覆全球现状的。
Imec的计算路线图;美国对华为为目标;美印。特遣部队;China-Bolivia交易;布鲁克揭开了白光干涉测量系统;三星量化可持续性;麦肯锡指出了美国晶圆厂建设的问题;发光二极管。
异构集成依赖于可靠的tsv、微凸点、通孔、线路和混合键,以及消化所有选项的时间。
fpga可以做到体积小、功耗低、性价比高。
EDA社区如何准备应对即将到来的挑战尚不清楚。
先进的蚀刻技术是纳米片fet的关键未来节点的演化路径。
近50家公司超过5000亿美元新投资的细节;扩张热潮的背后是什么,为什么是现在,以及未来的挑战。
从特定的设计团队技能,到组织和经济影响,向定制硅的转变正在改变一切。
精度越低,功率就越低,但要做到这一点,标准是必须的。
开源处理器核心开始出现在异构的soc和包中。
开源本身并不能保证安全性。这仍然归结于设计的基本原理。
留下回复