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标签:弗拉姆号

0.13 μ m F-RAM内存的数据保持性能
通过英飞凌- 2022年6月1日-评论:0

F-RAM(铁电随机存取存储器)是一种使用铁电电容器存储数据的非易失性存储器。它提供了更高的写入速度超过闪存/EEPROM。本白皮书简要介绍了F-RAM存储器的数据保留性能。点击这里了解更多。»阅读更多

0.13 μm F-RAM存储器的数据保持性能
通过英飞凌- 2022年4月6日-评论:0

F-RAM(铁电随机存取存储器)是一种使用铁电电容器存储数据的非易失性存储器。它提供了更高的写入速度超过闪存/EEPROM。本白皮书简要介绍了F-RAM存储器的数据保留性能。点击这里阅读更多。»阅读更多

错误越多，记忆越正确
通过布来安梅奥- 2021年11月9日-评论

当任何类型的存储位元变得越来越小时，由于较低的裕度和过程变化，误码率会增加。这可以通过纠错来处理和纠正比特错误，但随着使用更复杂的纠错码(ECC)，它需要更多的硅面积，这反过来又提高了成本。鉴于这种趋势，迫在眉睫的问题是……的成本是否……»阅读更多

博客评论:7月15日
通过杰西·艾伦- 2020年7月15日-意见:0

Synopsys的Mike Borza解释了DARPA的安全硅自动实现(AISS)项目，以及为什么在芯片开发和制造过程中优先考虑安全是如此重要。Mentor的Jacob Wiltgen检查了在自动化辅助下，准确的早期循环安全分析如何帮助避免未满足安全目标的问题和昂贵的后期循环迭代。节奏的保罗……»阅读更多

嵌入式相变存储器问世
通过马克LaPedus- 2019年1月24日-意见:3

随着另一项技术——嵌入式相变存储器的出现，用于嵌入式应用程序的下一代存储器市场正变得越来越拥挤。相变存储器并不是什么新东西，它已经研究了几十年了。但由于技术和成本方面的诸多挑战，这项技术需要更长时间才能实现商业化。相变存储器，一种存储数据的非易失性存储器。»阅读更多

晶圆代工厂在2019年迎来增长和新问题
通过马克LaPedus- 2018年12月17日-评论:0

2019年，硅代工业务有望增长，尽管该行业明年在多个细分市场面临着几个挑战。总体而言，代工供应商在2018年实现了稳定增长，但许多公司在2018年以糟糕的局面结束。对苹果新iPhone XR的需求疲软和加密货币市场的低迷已经影响了几家IC供应商和代工厂，造成了巨大的损失。»阅读更多

下一代内存升级
通过马克LaPedus- 2018年8月16日-评论:6

随着厂商推出大量新技术，下一代内存市场正在升温，但要使这些产品成为主流还面临一些挑战。多年来，业界一直致力于各种存储技术，包括碳纳米管RAM、FRAM、MRAM、相变存储器和ReRAM。有些是在运输，有些是在研发。每种内存类型都是di…»阅读更多

新的记忆竞争者?
通过马克LaPedus- 2018年1月2日-评论

一种新的铁电存储器正在形成势头，它可能改变下一代存储器的格局。通常，铁电体与一种称为铁电ram (FRAMs)的存储类型有关。fram是上世纪90年代末由几家供应商推出的低功耗、非易失性器件，但它们也仅限于小众应用，无法扩展到130纳米以上。虽然……»阅读更多

ReRAM怎么了?
通过马克LaPedus- 2017年9月21日-评论:8

电阻式存储器(ReRAM)是少数几个正在开发的下一代存储器之一，在经历了多年的挫折后终于获得了关注。富士通(Fujitsu)和松下(Panasonic)正在联手推出第二代ReRAM设备。此外，Crossbar正在对由中国中芯国际代工的40nm ReRAM技术进行采样。不甘示弱的是，台积电和联华电子最近推出了ReRAM…»阅读更多

什么是MRAM自旋扭矩?
通过马克LaPedus- 2017年8月17日-评论:0

内存市场正在同时向几个不同的方向发展。一方面，传统的存储器类型，如DRAM和闪存，仍然是主力技术。然后，一些供应商正在准备下一代内存类型。作为一个正在进行的系列的一部分，半导体工程将探索新的和传统的存储技术的方向。对于这一段，P…»阅读更多

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