知识中心
导航
知识中心

高带宽内存(HBM)

密集,堆版的内存高速接口,可用于先进的包装。
受欢迎程度

描述

高带宽内存(HBM)是标准化的堆内存技术,为数据提供了非常广泛的渠道,内部之间的堆栈和记忆和逻辑。

HBM堆栈可以包含多达八个DRAM模块,每个模块所连接的两个渠道。目前的实现包括四片,大约相当于40 DDR核心空间的一小部分。

使这项技术有吸引力的是DRAM芯片之间的带宽,和模块之间的逻辑(插入器技术),和小DRAM dimm相比,形式因素。

电平采用HBM标准2013年10月,HBM 2标准于2016年1月。三星和SK海力士现在商业上生产HBM芯片,与他人的期望。

HBM3,宣布在2022年的夏天,是一个高性能记忆功能降低功耗和一个小的形式因素。它结合了2.5 d包装与更广泛的接口时钟速度较低(比GDDR6)提供更高的整体吞吐量更高bandwidth-per-watt效率AI /毫升和高性能计算(HPC)应用程序。1

1。HBM3定义的Rambus

多媒体

HBM3在数据中心

多媒体

GDDR6——HBM2权衡

多媒体

建筑AI soc

多媒体

技术讨论:HBM与GDDR6

多媒体

使用高带宽内存

多媒体

技术讨论:2.5 d的问题

Baidu