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计量

计量的科学测量和描述微小结构和材料。
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计量的科学测量和描述微小结构和材料,并有许多工具和技术在这个类别。

1。原子力显微镜。这种技术使用一个小调查,使测量芯片结构。

2。CD-SEM。临界尺寸的扫描电子显微镜(CD-SEM)是主力计量工具的工厂。它用于自上而下的测量。它使用一个集中的电子束产生信号的表面结构。CD-SEM平面晶体管是一个关键的计量工具,但在同一时间,这些系统只能为finFETs做有限的工作。工具可以测量翅片宽度,但它不能形象的翅片高度和侧壁角。

在finFETs,给定的计量工具必须12个或更多不同的测量,如门的高度、翅片高度和侧壁角。每一个零件还需要一个或多个单独的测量。CD-SEM供应商,然而,最近通过添加tilt-beam反击能力的工具。倾斜,工具可以测量翅片宽度,翅片高度和finFETs侧壁角。

一些厂商进入CD-SEM添加了其他的新功能,如反向散射。反向散射电子探测器,或疯牛病,是集成到一个CD-SEM来捕捉背散射电子。反过来,这使得CD-SEM确定成分或结构的表面形貌。

3所示。CD-SAXS。这是一个新一代、x光散射测量技术。它测量的平均形状周期性纳米结构,边缘粗糙,球场散步。这项技术仍在研发中。主要的限制是有足够明亮的x射线源的测量。

4所示。混合计量。最终,没有一个工具,可以处理所有finFETs计量需求。所以在一段时间内,芯片制造商一直在谈论一个叫做混合计量技术。在这种方法中,芯片制造商使用不同工具的混搭技术,然后结合的数据。举一个例子,一个finFET结构是衡量CD-SEM和AFM。然后,结果被送入一个强迫症的工具来验证模型。

不过,混合计量仍在开发的早期阶段。面临的挑战是把对手工具在相同流中,并告诉竞争对手合作。

5。基于模型的红外反射计(MBIR)。在基于模型的红外反射计,红外线反射一个示例。然后,分析了反射强度和波长与样本的模型结构。MBIR用于图像电影3 d NAND和DRAM的堆栈。

6。散射测量。这是一个受欢迎的形式的光学临界尺寸(OCD)计量。光散射测量分析强度的变化在一个设备。它用于记忆和逻辑。敲强迫症是芯片制造商必须开发复杂而耗时的模型。获取引用数据的一种方法是减少设备的晶片,做一个横截面使用TEM。这可以是一个昂贵的过程。作为回应,该行业已经开发出一种技术,可以预测TEM的参考数据。这可以减少成本和上市时间强迫症。

7所示。光谱椭圆光度法。这是一种光学临界尺寸(OCD)计量。光谱椭圆光度法考察薄膜的性质结构逻辑和内存芯片。椭圆光度法是一种非破坏性、光学技术。

8。透射电子显微镜。TEM传输光束通过一个结构。该显微镜通常发现在实验室里,而不是在生产线。

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