尽管抗稀释材料的影响，可以找到适当的设置，以加强计量质量输出。gydF4y2Ba
高数值孔径极紫外光刻(high NA EUVL)的诸多限制之一与阻光剂厚度有关。事实上，从当前的0.33NA转移到0.55NA(高NA)的后果之一是焦点深度(DOF)的降低。此外，当抗蚀剂特征线缩小到8纳米半间距时，必须限制纵横比以避免图案崩溃。这种情况的直接后果是，通常用于32nm间距密集线/空间(LS)的30nm抗蚀剂厚度将不适用于16nm间距，其中目标厚度预计为15nm厚度或更小，以确保类似的纵横比。我们需要回答的问题是，电阻厚度的降低将如何影响正确设置工艺所需的各种计量技术。gydF4y2Ba
为了解决这一问题，在32纳米间距下生成了一组使用化学放大抗蚀剂(CAR)和金属氧化物抗蚀剂(MOR)的不同厚度和不同衬底类型的晶圆。我们首先通过扫描电子显微镜(SEM)研究了薄膜厚度对CAR抗蚀线成像的影响。首先，我们目前最知名的方法(bkm)被用于获取SEM图像。随着抗蚀剂厚度的减小，噪声水平和图像对比度显著降低。这样的图像质量退化可能直接影响CD测量的精度和精度。gydF4y2Ba
本文采用临界尺寸扫描电子显微镜(CD SEM)、原子力显微镜(AFM)、低压扫描电子显微镜(LV SEM)、散射法、模式位移响应(PSR)和光学缺陷检测等技术对上述薄阻片进行了研究。每种方法都估计了抗蚀剂厚度的影响，并研究了最佳设置以使对计量的相对影响最小化。我们的研究结果表明，在大多数情况下，必须采用替代操作条件和BKM设置，有时与通常的操作条件有很大不同，以保证计量要求。我们的结果表明，尽管有减薄抗蚀剂材料的影响，但可以找到适当的设置来加强计量质量输出。gydF4y2Ba
作者:Gian Francesco LorussogydF4y2Ba一个gydF4y2Ba克里斯托夫·贝拉尔gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba， Janusz BogdanowiczgydF4y2Ba一个gydF4y2Ba，达尼洛·德·西蒙gydF4y2Ba一个gydF4y2BaMahmudul Hasan说gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba克里斯蒂安·杰霍尔gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba，阿兰·穆萨gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba，穆罕默德·赛卜gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba，穆罕默德·齐丹gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba，乔伦·塞韦里gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba，文森特·特鲁弗特gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba，迪特·范·登·休维尔gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba，亚历克斯·戈登斯坦gydF4y2BabgydF4y2Ba，凯文·霍钦斯gydF4y2BabgydF4y2Ba盖塔诺·桑托罗gydF4y2BabgydF4y2Ba，丹尼尔·费希尔gydF4y2BacgydF4y2Ba，安杰莉卡·穆勒德gydF4y2BacgydF4y2Ba，gydF4y2Ba乔伊挂gydF4y2BadgydF4y2Ba——罗伊·科瑞特gydF4y2BadgydF4y2Ba，伊戈尔·图罗韦茨gydF4y2BadgydF4y2Ba，gydF4y2Ba装备AusschnittgydF4y2BaegydF4y2Ba克里斯·麦克gydF4y2BafgydF4y2Ba近藤刚gydF4y2BaggydF4y2Ba， Tomoyasu ShohjohgydF4y2BaggydF4y2Ba伊科塔雅美gydF4y2BaggydF4y2Ba，安妮-劳伦·查理gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba——菲利普·勒雷gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba
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dgydF4y2BaNOVA，大卫菲克斯街5号，以色列雷霍沃特7632805;gydF4y2Ba
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