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隧道场效应晶体管

正在开发一种晶体管,将来可以取代finFETs过程技术。
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描述

目前为5 nm节点目标,隧道场效应晶体管(TFET)是一个陡峭的亚阈值斜率晶体管规模供应电压小于1伏特,甚至低至子- 0.5伏。TFETs可能出现在2 d和3 d的配置。他们可以是基于批量互补金属氧化物半导体或绝缘体(SOI)技术。TFET类似于今天的场效应管,但TFET实际上是一个gated-diode,利用电子隧道技术。理论上,TFETs可以开关的电压低于当前和未来的finFETs。在反向偏压TFET操作。TFETs利用结构的隧穿电子通过一个障碍,而不是流动障碍如场效应管。

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