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电阻RAM (ReRAM / RRAM)

内存利用电阻磁滞
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描述

电阻RAM(也称为RRAM ReRAM)通过改变电阻的材料。电流是应用于材料,材料的电阻变化。可以测量电阻状态。这一原则被称为“memrister”,依赖于磁滞的原则。

它的发明归功于惠普高级研究员r·斯坦利·威廉姆斯在惠普实验室使用一个双层的二氧化钛薄膜来存储阻力。然而,忆阻器首次在1971年的一篇论文中提出的IEEE电路理论的加州大学的莱昂蔡教授。喷气推进实验室在1990年发表了一篇文章题为“固态薄膜电子神经网络存储电阻器。“tungsten-oxide-based摘要报告,非易失性,电可重复编程的,可变电阻设备作为电子模拟内存突触连接神经网络。

工作仍在进行中,找到合适的材料和测量的电阻状态的细胞。这项技术有望成为小于flash和克服疲劳问题。也有写速度快得多,甚至可比DRAM。


记忆电阻网络

非易失性内存和存储技术的进步(瑞斯出版系列电子和光学材料)


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