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ReRAM材料

材料用于生产ReRAMs
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描述

在电阻公羊(ReRAMs或RRAMs) metal-insulator-metal结构的高阻状态,但在低电阻状态。有很多提议材料为这些设备系统;研究最多的地方之一一层HfO2两锡电极之间。在交叉点体系结构中,顶部和底部在直角线层,创建一个网格。内存网格的元素躺在角落。

SEMATECH研究员报道2011年,氧空位的HfO2晶界层隔离。当足够高电流应用时,晶界形成渗流路径,允许电子传播通过材料trap-induced隧道。Hf-O债券沿着这条路径分解和Hf-Hf债券形式,最终创建一个顶部和底部之间的金属导电丝电极。这是在国家。因为它不依赖于存储电荷,它非常稳定。

重置的内存状态,该系统适用于电流,增加铪丝的温度,导致re-oxidize。最终,完整的导电路径又输了和介电行为作为绝缘体。

RRAM实现在高可变性和不一致的性能。晶界的分布在纳米尺度的材料是很难控制。此外,介质击穿机制本质上是变量,根据缺陷之间的随机运动的电子。


材料和物理第二非易失性记忆:卷1250(诉讼夫人)

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