接下来是什么也不闪?

闪存市场是两个城市的故事。

今天,NAND和也的两个主要闪存类型。多年来,NAND闪存市场爆炸。针对数据存储、NAND闪存搬进了卡片,固态硬盘(ssd)和其他产品。兴奋的NAND继续上升,随着技术从平面到三维结构。事实上,3 d NAND仍在初期阶段,市场也迅速扩大。

在NAND的繁荣,也没有在洗牌中迷路了。通常,也用于代码存储。(一个网站,Radio-Electronics.com,提供了一个很好的教程与非也。)

“也不是市场是一个从前的阴影,“吉姆说方便,客观分析的分析师。“这是几年前,约35亿美元,现在约为10亿美元。时失去了手机市场的智能手机,而不使用也没有。旧的备用应用程序仍然使用它:机顶盒,PC BIOS,糖果手机和其他人。但单位需求没有增长非常快对于那些应用程序和价格平均下降30% /年,所以收入有显著下降。”

不过,也没有flash用于多种应用程序。今天,也没有市场可以分为两segments-standalone设备和嵌入式应用程序。柏树,Macronix微米,华邦电子和其他独立和设备销售。

两段,嵌入式也可以说是最具活力的市场。嵌入式芯片市场本身是爆炸在若干领域,如汽车、工业、医疗、无线等。

对于嵌入式应用程序,oem厂商使用微控制器(mcu)和其他设备。“最高销售量单片机倾向于使用旧流程90 nm和130 nm,“方便的说。“这将是很长一段时间许多人开始使用需要finFETs sub-20nm过程。”

单片机几个组件集成在同一芯片上,如CPU、存储器、嵌入式内存和外围设备。中央处理器执行指令。存储器集成芯片上存储数据或者常用的指令。嵌入式内存,如eepm和flash,用于代码存储和其他功能。”的区别在于它有一个晶体管每一点细胞(也)或两个(eepm)。大多数单片机制造商使用eepm和其他人使用也不方便说。

嵌入式和健壮。“这一份工作真的好,”戴夫Eggleston说,副总统在GlobalFoundries的嵌入式内存。“这将数据存储在一个恶劣的环境。”

但随着系统越来越复杂,oem厂商需要嵌入式内存有更多的功能。有鉴于此,一些人问一个简单的问题都纷争不断嵌入和flash精疲力竭了吗?答:嵌入式也仍然是可行的,但也有规模的技术挑战。

主流的嵌入式市场和flash在40海里以上,虽然这个行业已经开始迁移到更小的几何图形,沃尔特·Ng说,企业管理的副总裁联华电子。“重点发展方面28 nm,“Ng说。

然而,嵌入式也有一些局限性。写速度缓慢。它需要更多的面具在每个节点,从而影响成本和复杂性。“嵌入式非易失性记忆的最大挑战是降低成本的时候搬到更小的几何图形,“一些女子说,全球市场营销和业务发展总监硅存储技术(SST),嵌入式内存芯片的子公司。“传统嵌入式闪存单元继续缩减到28 nm;然而,高压晶体管不规模成比例。因此,整个flash宏观与摩尔定律不规模大小。然而,它仍然是可取的港口基于嵌入式闪存产品由于不断增加的复杂性和规模较小的几何图形指令代码,这就需要在嵌入式flash的大小显著增加。”

主流嵌入式flash技术从SST是40纳米,但该公司正致力于28 nm。基于专有split-gate闪存单元,该公司的嵌入式flash叫做SuperFlash。“汽车应用程序,在大多数情况下,在先进技术推动嵌入式SuperFlash内存扩展节点,”女子说。"我们预计这一趋势将继续在28纳米技术节点。关于新类型的应用程序,我们也期待一些高端的物联网设备需要芯片上的射频集成利用嵌入式闪存可用性在28 nm。”

女子和其他人相信28 nm节点将是一个长期为嵌入式flash和芯片。但是,规模也超过28 nm吗?“我们相信我们可以进一步规模SuperFlash内存技术和集成在FD-SOI技术平台,”他说。“我们还没有把一个重要的研发努力整合SuperFlash内存技术与finFET结构在1 xnm节点上,还没有客户需求。我们认为这将是一个挑战与finFET平台集成了传统的基于浮栅技术1 xnm节点,我们可能需要一个可选择的解决方案。”

接下来是什么?
可以肯定的是,汽车行业需要嵌入式闪存规模。“因此,我们预计,一些汽车应用程序将会被移至一个SIP解决方案与SuperFlash记忆捏造xnm 2或4 xnm节点,”他说。所以,而不是扩展嵌入式和16 nm / 14 nm,微芯片的SST看到一个场景,也集成到一个system-in-package (SIP)计划。单片机可以SIP的一部分。

还有一些人计划规模嵌入式内存。IEDM,例如,瑞萨发表了一篇论文关于嵌入式flash技术finFETs 16 nm / 14 nm和超越。这项技术可能不会出现好几年了,不过。

多年来,不过,瑞萨单片机发展基于一个叫做SG-MONOS专有的flash技术。它涉及一个metal-oxide-nitride-oxide硅(单一)技术与电荷捕获存储方案。

16 nm / 14 nm,业界也谈到了传统晶体管单元结构。相比之下,瑞萨提出了1.5晶体管单元结构。“优越的亚阈值特性以及小阈值电压变化由于fin-structure(证明),这是未来所需的低功耗操作,“说Shibun津田,研究员瑞萨,IEDM纸。“增量步编程脉冲源端注入找到非常有效的抑制鳍上角效果,和可靠性改进,使均匀电场和电子注入是证实。很好的保留在150ºC 250 k P / E周期显示了这个设备先进的汽车应用程序有足够的可靠性。”

而嵌入式也继续上涨,行业发展一些新一代的内存类型。许多人针对取代传统嵌入式也。“MRAM等新兴的记忆是有前途,他们可以使新的应用程序;然而,我们还有很长的路要走新兴记忆可以显著降低总成本,相比传统嵌入式flash,”微芯片的女子说。“面具的数量不是一个有效的方法来比较成本的非易失性记忆。”

然而,嵌入式MRAM升温。例如,GlobalFoundries和Everspin正致力于嵌入式GlobalFoundries 22纳米FD-SOI MRAM技术平台。GlobalFoundries”计划来取代嵌入式也与MRAM finFET紧过程——任何。似乎他们不期望finFET也不发达,方便说“客观分析。

此外,三星还编造了一个嵌入式8-Mbit STT-MRAM在其28 nm制程。”(设备证明)的可行性eMRAM商业化对于物联网的应用程序,“说y . j .歌曲,与三星首席工程师。

另一个技术,ReRAM,也是新兴的嵌入式应用程序。例如,2013年,松下推出了一个8位单片机。单片机集成了一个0.18微米ReRAM技术。最近,松下结成联盟,台湾联华电子。根据该计划,该公司将开发一个40 nm ReRAM过程。联电将生产设备为客户铸造的基础上。

松下预计船产品样品根据联华电子的2018年40 nm制程。这项技术的目的是对独立和嵌入式应用程序。”已经被认为是第一个在工业大规模生产ReRAM”Kazuhiro小山说,总统的松下半导体解决方案。“这与联华电子的合作将扩大范围的最优产品,满足客户需要通过开发一个缩放过程平台,将加速市场采用ReRAM。”

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