中文 英语

3D-NAND有层数限制吗?


存储器厂商正在竞相为3D NAND增加更多层数。数据爆炸式增长以及对更高容量固态硬盘和更快访问时间的需求,推动了这一竞争激烈的市场。美光已经在填补232层NAND的订单,SK海力士也不甘落后,宣布将在明年上半年开始批量生产238层512Gb三层电池(TLC) 4D NAND。»阅读更多

CXL和OMI:竞争还是互补?


系统设计人员正在寻找任何他们能找到的增加内存带宽和容量的想法,关注从内存改进到新型内存的所有事情。但是更高级的体系结构更改可以帮助满足这两种需求,即使将内存类型从cpu中抽象出来。有两个新的协议正在帮助实现这一点,CXL和OMI。但有一个迫在眉睫的问题……»阅读更多

一周回顾:制造,测试


芯片制造商中国清华紫光集团(Tsinghua Unigroup)陷入困境。该集团是中国3D NAND供应商YMTC和其他芯片企业的母公司。该公司已接近进入破产程序。据彭博社(Bloomberg)报道,如今,由阿里巴巴(Alibaba)牵头的财团已成为收购清华紫光集团(Tsinghua Unigroup)的领跑者。报道称,该交易将使该公司维持下去,. ...»阅读更多

展望:DRAM, NAND,下一代内存


Objective Analysis的主管Jim Handy接受了《半导体工程》的采访,谈论了3D NAND、DRAM和下一代内存市场。以下是那次讨论的节选。SE:到目前为止,你如何描述2021年的NAND市场?Handy:所有芯片在2021年都看到了不同寻常的强度,但NAND闪存和DRAM正在做他们通常做的事情,表现出更多的电子性能。»阅读更多

错误越多,记忆越正确


当任何类型的存储位元变得越来越小时,由于较低的裕度和过程变化,误码率会增加。这可以通过纠错来处理和纠正比特错误,但随着使用更复杂的纠错码(ECC),它需要更多的硅面积,这反过来又提高了成本。鉴于这种趋势,迫在眉睫的问题是……的成本是否……»阅读更多

单片3D DRAM会出现吗?


随着DRAM扩展速度放缓,该行业将需要寻找其他方法来继续推动更多、更便宜的内存。逃避平面缩放限制的最常见方法是在建筑中添加第三个维度。有两种方法可以做到这一点。一个是打包的,这已经发生了。第二种是卖骰子到Z轴,这已经是一个…»阅读更多

一周回顾:制造,测试


芯片制造商和原始设备制造商业界仍在猜测英特尔是否会收购GlobalFoundries (GF)。与此同时,GF宣布了在纽约北部的晶圆厂扩张计划。这些计划包括对现有Fab 8工厂的直接投资,以及在同一园区建设一个新的Fab 8工厂。这将使该基地的容量增加一倍。英特尔公布了2021年第二季度财务…»阅读更多

FeFETs带来希望和挑战


铁电fet (FeFETs)和存储器(FeRAM)在研究界引起了很高的兴趣。基于一种尚未被商业利用的物理机制,他们加入了其他处于不同商业化阶段的有趣的新物理思想。“FeRAM非常有前途,但它就像所有有前途的存储技术一样——需要一段时间才能实现……»阅读更多

3D NAND的垂直缩放竞赛


在日益激烈的竞争中,3D NAND供应商正在加速努力转向下一个技术节点,但所有这些供应商都面临着各种新的业务、制造和成本挑战。两家供应商美光(Micron)和SK海力士(SK Hynix)最近在竞争中脱颖而出,并在3D NAND的规模竞赛中领先。但三星和kixia - western Digital(…»阅读更多

博客评论:12月2日


Mentor的Harry Foster调查了当今FPGA验证过程的有效性,这是2020年Wilson Research Group功能验证研究的一部分。Synopsys公司的克里斯·克拉克指出了传感器对于现代汽车的重要性,以及使传感器更有效、更安全、更可靠的关键设计考虑因素。节奏的爸爸……»阅读更多

←老帖子
Baidu