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标签:Everspin

周评:设计,低功耗
通过杰西·艾伦2022年5月- 06 -评论:0

Rambus公司将获得Hardent、提供者和IP的设计服务。Rambus说Hardent硅设计、验证、压缩和纠错码(ECC)的专业知识将提供关键资源Rambus CXL存储器互连倡议。“由先进的工作负载的需求像AI /毫升和分类的数据中心架构,行业势头CXL-base……»阅读更多

周评:制造、测试
通过马克LaPedus- 04年3月,2022 -评论:0

包装ASE、AMD、手臂、谷歌、英特尔、元、高通、三星、微软和台积电已经宣布一个财团的形成,将建立一个die-to-die互连标准和促进一个开放chiplet生态系统。公司还成立批准UCIe规范,一个开放的行业标准建立了一个标准的互连在包级别。UCIe 1.0年代……»阅读更多

周评:制造、测试
通过马克LaPedus- 12月18日,2020 -评论:0

辞职后的芯片制造商中芯国际的股价下跌,公司联合首席执行官,根据彭博社的一份报告。梁孟淑娟歌曲,中国铸造公司的联合首席执行官,已经提出辞职,公司已经意识到梁有条件辞职的意图,根据申请。台积电前技术员和三星,梁反对董事会任命一个新的…»阅读更多

周评:制造、测试
通过马克LaPedus3月- 13,2020 -评论:0

市场研究半导体的冠状病毒有着重大影响,智能手机及相关市场。例如,全球工厂设备支出承诺从2019年的衰退反弹,看看今年温和复苏,一份报告显示,从半。但冠状病毒(COVID-19)爆发了2020年在中国和其它地方工厂设备支出,根据代表……»阅读更多

周评:设计,低功耗
通过杰西·艾伦8月- 16,2019 -评论:0

Everspin和希捷签订了专利交叉许可协议,包括MRAM的转让和许可专利希捷Everspin以及特定许可隧穿磁电阻(咯)专利Everspin希捷,它将用于硬盘读/写头技术。斯巴鲁利用ANSYS SCADE套件为关键控制系统设计和验证嵌入式…»阅读更多

下一个新的记忆
通过马克LaPedus8月- 15,2019 -评论:2

几个下一代记忆类型增加经过多年的研发,但还有更多的新记忆研究管道。今天,几个下一代记忆,如MRAM、相变内存(PCM)和ReRAM航运一个学位或另一个。一些新记忆这些技术的延伸。其他基于全新的技术或涉及基于“增大化现实”技术的…»阅读更多

在制造和测试STT-MRAM挑战
通过马克LaPedus2019年5月- 07 -评论:1

一些芯片制造商加大新一代内存类型称为STT-MRAM,但仍有各式各样的对当前和未来的设备制造和测试的挑战。STT-MRAM或自旋扭矩MRAM是吸引力和日益活跃,因为它结合了几种常规内存类型的属性在一个单一的设备。多年来,STT-MRAM特性…»阅读更多

下一代内存加大
通过马克LaPedus8月- 16,2018 -评论:6

下一代内存市场升温供应商坡道的新技术,但也有一些挑战,这些产品将成为主流。多年来,该行业一直致力于各种内存技术,包括碳纳米管RAM,弗拉姆号,MRAM,相变内存和ReRAM。有些是航运,而另一些则在研发。每个内存类型是迪…»阅读更多

一个新的记忆的竞争者?
通过马克LaPedus1月- 02年,2018 -评论:1

势头正在建设的一个新类铁电记忆可能会改变下一代记忆的风景。一般来说,铁电体与内存类型称为铁电相关联公羊(弗拉姆号)。几家供应商在1990年代末推出,弗拉姆号是低功耗,非易失性的设备,但他们也限于利基应用程序和无法规模超过130海里。虽然……»阅读更多

四个铸造厂MRAM回来
通过马克LaPedus8月23日,2017 -评论:4

四大铸造厂计划提供MRAM作为嵌入式内存解决方案在今年或明年,为最终可能被证明是一个改变下一代存储技术。GlobalFoundries,三星,台积电和联华电子计划开始提供自旋转矩磁阻的RAM (ST-MRAM或STT-MRAM)作为替代或替换也不闪,可能开始……»阅读更多

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