在MRAM

今天,这个行业是航运不同下一代非易失存储器类型,如3 d NAND MRAM ReRAM。事实上,MRAM已经航运了一段时间。在MRAM处理,半导体工程讨论技术与菲利普LoPresti坐下,总裁兼首席执行官Everspin, MRAM的供应商。以下是摘录的谈话。

SE:我们今天与MRAM吗?

LoPresti:我们仍然是唯一一家航运任何MRAM产品。我们有几个家庭的产品。我们的第一个家庭是开关技术领域。现在我们已经出货5000万台,独立和嵌入式产品。这些适合各种各样的应用程序,包括企业、服务器、存储和工业控制。我们也有合格的汽车。

SE: Everspin航运这些部分有一段时间了,对吧?

LoPresti: 2007年和2008年以来一直在生产。

SE:申请领域开关是什么?

LoPresti:这部分是针对依靠电池存储器或高耐用性和高写入速度eepm或flash应用程序。此外,我们使用的所有大型存储公司。

SE: stt - ram有什么新的吗?

LoPresti:第二个家庭的产品,从我们是MRAM的另一个变化。现场开关,而是spin-torque切换,或者我们称之为ST-MRAM。我们已经抽样,自2012年以来,或2013年初。这种技术从根本上改变了计算和存储。但最初,很多人都不知道如何处理它。所以走出产品早期真的是我们的前提。我们想让人们走出去,开始观察它。我们想要建立一个生态系统,所以人们可以用它当它准备投入生产。

与ST-MRAM SE:你取得任何进展?

LoPresti:我们开始看到回报。有很多应用程序的转型需要持久的记忆。我们的第一部分spin-torque家庭是速度达每秒64 mb的网络DDR-3。去年,我们宣布了一项与一家名为Mangstor设计,这高性能ssd。现在,我们正在内部测试速度达每秒256 mb的网络芯片,也是DDR-3。这也触发改变生产从200毫米到300毫米。

SE: Everspin航运部分在200 mm晶圆。改变你谈论与Everspin去年宣布,公司成立了一个300毫米GlobalFoundries铸造联盟,对吧?

LoPresti:这是一个很大的战略伙伴关系我们用GlobalFoundries,使我们的产品开发和生产,这对我们很重要。

SE:许多其他公司仍然致力于MRAM,对吧?

LoPresti:其他公司与MRAM修修补补。他们推出的原型,样品或测试芯片。但他们并不是真正的有针对性的去生产。我们更关注部分可用于一个系统。这就是为什么GlobalFoundries的伙伴关系是真正关键的等带我们到下一个密度256 -梅格。我们的团队已经在设计与我们1 gigabit DDR-4部分。再一次,这是相关关系GlobalFoundries能力。

SE:现场开关和ST-MRAM之间的区别是什么?

LoPresti:主要区别是位开关的方式。我们使用磁性材料来创建电阻行为,高阻或低阻抗。我们发现一个晶体管。唯一变化的是我们如何切换从高到低状态。在开关领域,正是这听起来的方式。这是交换领域。你在芯片产生一定程度的电流。你直接一点。你实现一些时钟机制。然后你可以切换到一个状态转移到另一个通过生成一个磁场。 In spin torque switching, we use a polarizing spin current that either goes up or down the bit. And depending on the direction of travel, it switches the bit from one state to the other. That technology requires a lot less current to switch bits. As you shrink the size of the bit, there’s a proportion in relationship to the size of the current needed. That allows scalability.

SE: ST-MRAM提供静态存储器的速度和flash的non-volatility无限的耐力。在过去,你谈过几个应用程序。一个是写缓冲区ssd,对吧?

LoPresti:我们试图缓冲或缓存写道,取决于所需的密度。通过添加MRAM系统,提高了整体性能和可靠性。

SE: STT-MRAM会取代DRAM吗?

LoPresti: DRAM的一个基本问题。你要刷新它。人们想要的持久性。DRAM并不持久。DRAM将达到一个极限,才会开始维修领域坚持并不重要。这可能会永远继续下去。除了它的可伸缩的限制,DRAM将越来越少。它会被不同地区的其他技术所取代。

SE: MRAM与与非竞争,ReRAM或其他技术?

LoPresti:很多人问我们如何MRAM与其他技术竞争。我们不与与非竞争。在很多情况下,我们使NAND更好。电阻性记忆是出来。他们不能做我们的函数。我们不是要做其功能。他们彼此都能工作。

SE:铸造的状态处理GlobalFoundries ?

LoPresti:顺利。我们已经收到了第一个硅,基于300毫米CMOS技术40 nm。这是我提到的速度达每秒256 mb的网络芯片。自去年11月以来,他们已经启动并运行。我们转移过程从200毫米到300毫米。现在我们有一个正常运行300毫米的过程。我们现在可以目标各种人口密度较高的解决方案。

SE:微米、三星、东芝和其他大公司正致力于MRAM。你担心吗?

LoPresti:我们会像其他人一样在市场上。如果有更多的人运输同样的产品,然后客户更倾向于从事高容量应用程序。这是因为他们不需要担心被专有采购。大公司不喜欢它当他们的系统最重要的部件之一来自于只有一个公司或一个工厂。所以长远来看,我们希望增殖MRAM最大的内存公司等等。我们不认为这是一件坏事。

SE: MRAM候选人的挑战是什么?

LoPresti:这并不容易。任何新的内存技术是很难做的。这需要时间。你必须坚持下去。

SE:其他的挑战吗?

LoPresti:有一件事是能够让客户满意的技术。这就是为什么我们有一个系统集团。所有的这些大公司拥有庞大的研发团体使用。他们曾经有三组建筑一样的。然后,他们会一脸,决定使用哪一个。现在,他们没有做任何。因此,当一项新技术,你去他们,他们说:“这是真正伟大的,但是我没有时间弄清楚如何使用它。现在,甚至作为一个内存公司,你必须交付解决方案。因此,你必须构建实际的SSD或者构建评估板来说服人们它的工作原理。它不仅工作,但必须将值添加到您的系统。这些都是具有挑战性的。 We’re overcoming them and moving in the right direction.