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标签:静态存储器

保护内存免受知识产权盗窃(最佳论文奖)
通过技术文件链接- 2022年12月15日-意见:0

奥本大学的研究人员发表了一篇题为《小心丢弃使用过的sram:信息被永久存储》的技术论文。这篇论文在10月25日至27日在亨茨维尔举行的IEEE电子产品物理保证和检验国际会议(PAINE)上获得了“最佳论文奖”。摘要:“数十年来，数据恢复一直是电子行业的重点。»阅读更多

基于交叉杆结构的可扩展光学人工智能加速器
通过技术文件链接- 2022年11月8日-评论:0

华盛顿大学的研究人员发表了一篇名为“使用PCM进行AI加速的可伸缩相干光交叉条架构”的新技术论文。摘要:“光计算最近被提出作为一种新的计算范式，以满足数据中心和超级计算机中未来AI/ML工作负载的需求。然而，到目前为止，提议的实现遭受缺乏sc…»阅读更多

解决SRAM验证的挑战
通过西门子EDA- 2022年10月26日-评论:0

SureCore Limited是一家SRAM IP公司，总部位于英国谢菲尔德，为当前和下一代硅工艺技术开发低功耗存储器。其屡获殊荣的，世界领先的，低功耗SRAM设计是工艺独立和可变性，使其适用于广泛的技术节点。两个主要的产品系列已经宣布:PowerM…»阅读更多

结合内存内和近内存计算方法的计算SRAM (C-SRAM)解决方案
通过技术文件链接- 2022年5月23日-意见:0

新的学术论文题为“基于具有成本竞争力的计算SRAM设计解决方案的内存约束应用的真正集成向量处理单元”，来自格勒诺布尔阿尔卑斯大学的研究人员，CEA-LIST。摘要本文介绍了计算SRAM (C-SRAM)解决方案，该方案结合了内内存和近内存计算方法。它允许执行算术、逻辑和协同运算。»阅读更多

使用符号模拟进行SRAM冗余修复验证
通过哈里Sathianathan- 2022年1月27日-意见:0

非常深亚微米技术的创新，例如三维FinFET晶体管结构的出现，促进了在片上系统(SoC)设计中实现非常大的嵌入式SRAM存储器，以至于它们占据了大部分芯片芯片区域。为了在最小的芯片面积上获得最大的内存容量，SRAM位单元以最小的可能性设计。»阅读更多

展望:DRAM, NAND，下一代内存
通过马克LaPedus- 2021年11月18日-评论:0

Objective Analysis的主管Jim Handy接受了《半导体工程》的采访，谈论了3D NAND、DRAM和下一代内存市场。以下是那次讨论的节选。SE:到目前为止，你如何描述2021年的NAND市场?Handy:所有芯片在2021年都看到了不同寻常的强度，但NAND闪存和DRAM正在做他们通常做的事情，表现出更多的电子性能。»阅读更多

小芯片和包装的挑战
通过马克LaPedus- 2021年9月15日-评论:0

《半导体工程》与日月光研究员William Chen一起讨论了IC封装技术趋势、芯片、短缺等话题;Amkor高级包装开发与集成副总裁Michael Kelly;QP Technologies母公司Promex总裁兼首席执行官Richard Otte;JCET全球技术营销高级总监Michael Liu;和Th……»阅读更多

新的内存会增加新的错误
通过布来安梅奥- 2021年9月7日-评论

新的非易失性存储器(NVM)为改变我们在片上系统(soc)中使用内存的方式带来了新的机会，但它们也为确保它们按预期工作带来了新的挑战。这些新的内存类型——主要是MRAM和ReRAM——依赖于独特的物理现象来存储数据。这意味着在它们被释放之前，可能需要新的测试序列和故障模型。»阅读更多

SVT(六个堆叠垂直晶体管)SRAM单元架构介绍:设计和工艺挑战评估
通过Coventor- 2021年4月14日-意见:0

本文提出了一种先进逻辑SRAM单元的新设计架构，采用六个垂直晶体管(载流子沿Z方向传输)相互堆叠。虚拟制造技术被用于识别不同的工艺集成方案，以实现在高级逻辑节点上具有竞争性的XY足迹的结构制造:单元单元…»阅读更多

克服新一代SRAM单元架构中的挑战
通过本杰明·文森特- 2021年3月18日-意见:0

静态随机存取存储器(SRAM)自半导体工业早期以来一直是逻辑电路的关键元素。SRAM单元通常由六个相互连接的晶体管组成，以执行逻辑存储和其他功能。在过去的几十年里，6T(6个晶体管)SRAM单元的尺寸一直在稳步缩小，这要归功于摩尔定律和t…»阅读更多

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