一种先进逻辑SRAM单元的新设计架构，使用六个垂直晶体管(载流子沿Z方向传输)，一个叠在另一个上面。
本文提出了一种先进逻辑SRAM单元的新设计架构，采用六个垂直晶体管(载流子沿Z方向传输)相互堆叠。虚拟制造技术用于识别不同的工艺集成方案，以实现在高级逻辑节点上具有竞争性XY足迹的结构制造:本工作演示了0.0093 um2的单元面积。这项研究表明，虚拟制造可以成为技术寻径的关键实现元素，并且可以用于在带出或晶圆加工之前识别预期的模块开发挑战。
B. Vincent, J. Ervin，“SSVT(六个堆叠垂直晶体管)SRAM单元架构介绍:设计和工艺挑战评估”，Proc. SPIE 11614，设计-工艺-技术协同优化XV, 116140E(2021年2月22日);doi: 10.1117/12.2583414
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