哈里Sathianathan

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哈里Sathianathan是一个主管工程师专注于Synopsys对此ESP的工具。他有两个几十年的经验设计定制的记忆,他之前是一个ESP用户。

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使用符号模拟存储器冗余修复验证
通过哈里Sathianathan- 1月27日,2022 -评论:0

创新深亚微米技术,如三维FinFET晶体管结构的出现,有了非常大的实现嵌入式SRAM的记忆芯片系统(SoC)设计,他们占据了大部分的芯片死区。让最大内存容量最小的死区,SRAM bitcells设计的最低可能……»阅读更多

细胞库使用象征性的仿真验证
通过哈里Sathianathan- 07年7月,2021 -评论:0

标准单元库的主要芯片设计几十年来以来,《盗梦空间》的逻辑合成和组合方法。细胞库IP通常包含Verilog模型描述细胞的功能,原理推导出晶体管级网表,地点和路线的观点,物理布局视图,布线后的网表中提取以及特征时间和力量米……»阅读更多

Inter-Voltage域交叉检测电气危害发生的自定义sram
通过哈里Sathianathan- 09年12月,2020 -评论:0

快速增长的市场,如5克、生物技术、人工智能,和汽车,推动新一轮的低功率半导体设计要求,因此,需要更积极的低功耗管理技术。因此,即使是大宏芯片内,如sram,现在功能多个电压域限制权力画在浅睡眠阶段,深度睡眠,shutdown-low-power模式。这些……»阅读更多

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