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氮化镓(GaN)

氮化镓是一种III-V材料宽禁带。
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描述

氮化镓(GaN)是一个二进制III-V材料。氮化镓的能带隙3.4 eV。硅的能带隙1.1 eV。电子带隙宽禁带是指高电压设备,大于1 electronvolt (eV)。

氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)是一种横向的设备。当前流从源到表面上。以下的表面,沃甘和氮化镓层硅衬底上生长。

氮化镓是用于射频和电力电子。在电力领域,GaN-on-silicon芯片用于30 - 600伏的应用程序。GaN-on-silicon快,但它也受到晶格不匹配,使其容易产生缺陷的工厂。它还存在可靠性问题和低的热导率。还有GaN-on-silicon能否规模问题。

横向GaN-on-silicon设备可以在600伏撞墙,促使下一代技术的必要性,即大部分垂直GaN晶体管。在垂直GaN设备,电子从上到下。

但大部分GaN基板仅限于小尺寸和价格昂贵,意义GaN-on-GaN未来十年将发挥有限的作用,根据Lux Research。另一方面,GaN-on-SiC可以得到一些牵引,可能在运输市场从2017年开始,根据勒克斯。

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