射频GaN正在增长,但它会在手机吗?
宽禁带半导体是热门话题。
一个宽禁带半type-silicon硬质合金(原文如此)——热门话题和升温在电动汽车和其他系统。但是我们不要忘记氮化镓(GaN)。二进制III-V材料,氮化镓10倍的击穿场强比硅电子迁移率的两倍。
氮化镓用于发光二极管,电力电子与射频。虽然GaN-based功率半导体加热,GaN起飞的RF版本。2018年,销售射频GaN-enabled设备增长了近22%,据Strategy Analytics。到2023年,甘射频设备市场将超过17亿美元,该公司表示。克里族Qorvo和住友射频甘的大供应商。
多年来,射频GaN niche-oriented技术用于军事/航空航天社区,即雷达。
然后,悄悄进入商业市场的技术。甘”第一卷商务申请是在有线电视放大器早在2010年代初,”埃里克·海厄姆说,Strategy Analytics分析师。“这本书不是很高,第一个实质性商业体积GaN和基站应用始于2014年。这是受到了广泛的LTE部署在中国的强劲推动。”
多年来,基站使用射频功率放大器(PAs)基于laterally-diffused金属氧化物半导体(LDMOS)设备,平面双扩散场效应晶体管技术。
在基站射频GaN也用于功率放大器。随着时间的推移,射频GaN已经取代了LDMOS基站。“LDMOS仍然代表基站PA的轻微的大部分收入,”海厄姆说。“甘,收入增长速率快得多。我希望随着5 g部署高频率、射频GaN将会变得更加普遍。GaN基站功率收入将超过LDMOS收入在未来几年。”
5 g对射频GaN意味着什么?“在< 6 ghz范围、硅锗硅和/或(CMOS)将扮演越来越重要的角色的散热器数量巨大的MIMO天线增加,”他说。“甘肯定会提供优势,但将继续推动LDMOS的角度来看“如果不打破,不解决它。’”
5 g头高频率(> 6 ghz), LDMOS将无法满足要求。“甘这将意味着更多的机会,竞争是锗硅CMOS。所有这些因素将导致GaN超过LDMOS,但LDMOS定价将继续把一些基站不正确的技术。所以LDMOS分享将会下降,但我不认为它会很快消失,”他说。
这是最大的问题:射频GaN用于功率放大器在新5 g手机了吗?在智能手机中,功率放大器通常是基于砷化镓设备。几个oem厂商正在探索甘射频功率放大器的智能手机。”这个想法的氮化镓手机不会消失,”他说。“我仍然怀疑GaN会找到进入手机在不久的将来。我听说在较低功率,甘失去它的一些其他技术相比效率优势。”
价格也是一个问题。“砷化镓接近,如果不是一种商品,手机不是。如果你跟设备制造商,GaN和LDMOS技术,你会听到从甘与LDMOS GaN仍然是一个多个LDMOS定价。”
5 g手机移动到更高的频率,GaN社区想要分一杯羹。”直到GaN单价更接近于砷化镓和/或硅,但还是有太多的障碍甘的手机,“他补充说。
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