新一代晶体管有什么不同

通过凯瑟琳德比郡- 2022年10月20日-评论:0

经过近十年的发展和五个主要节点，以及大量的半节点，半导体制造业将开始从finfet过渡到3nm技术节点的全能堆叠纳米片晶体管架构。相对于finfet，纳米片晶体管通过在相同的电路占地面积内增加通道宽度来提供更大的驱动电流。gate-all-aroun……»阅读更多

基于同步s射线衍射的Si/SiGe纳米片GAA结构的无损纳米尺度映射

通过技术文件链接- 2022年6月13日-评论:0

IBM T.J.沃森研究中心和布鲁克海文国家实验室的研究人员发表了题为“Si/SiGe纳米片器件几何结构中的机械响应映射”的新研究论文。由美国能源部赞助。“下一代纳米电子器件的性能依赖于对组成材料内部应变的精确理解。然而，增加的灵活性……»阅读更多

下一代芯片推出高选择性蚀刻技术

通过马克LaPedus- 2022年3月21日-意见:0

几家蚀刻供应商开始推出下一代选择性蚀刻工具，为新的内存和逻辑设备铺平了道路。2016年，应用材料公司是第一家推出下一代选择性蚀刻系统(有时被称为高选择性蚀刻)的供应商。现在，Lam Research, TEL和其他人正在运输具有高选择性蚀刻功能的工具，为未来的设备做准备。»阅读更多

晶体管在3nm达到临界点

通过马克LaPedus- 2022年2月23日-评论

半导体行业正在进行十多年来新晶体管类型的首次重大变革，转向称为全门(GAA) fet的下一代结构。虽然GAA晶体管尚未上市，但许多业内专家都想知道这项技术能持续多久，以及会有什么样的新架构取代它。除非有重大延误，今天的GAA…»阅读更多

晶体管和芯片的下一步是什么

通过马克LaPedus- 2021年10月21日-意见:5

Imec CMOS技术高级副总裁Sri Samavedam接受了《半导体工程》杂志的采访，讨论了finFET缩放、栅极全能晶体管、互连、封装、芯片和3D soc。以下是那次讨论的节选。SE:半导体技术路线图正朝着几个不同的方向发展。我们有传统的逻辑缩放，但包装…»阅读更多

检查，测试和测量碳化硅

通过帕特里克Waurzyniak- 2021年10月12日-评论:0

实现汽车行业严格的零缺陷目标，正成为碳化硅基板制造商面临的一大挑战。随着碳化硅基板从150毫米晶圆迁移到200毫米晶圆，并将重心从纯硅转移，碳化硅基板制造商正努力实现足够的产量和可靠性。碳化硅(SiC)是硅和硬质合金材料的结合体，它已成为制造面糊的关键技术。»阅读更多

英特尔- globalfoundries的谣言背后

通过埃德·斯珀林- 2021年7月19日-意见:5

《华尔街日报》的一篇报道称，英特尔正在寻求收购GlobalFoundries，这引发了整个行业的讨论。但这究竟意味着什么，以及为什么现在与几年前相比，需要一些背景知识。这一潜在交易背后有一层又一层的讽刺意味，它可以追溯到几十年前一些相当著名的遭遇。想想AMD前首席执行官杰里·桑德斯1991年的评论……»阅读更多