标签:LDMOS

高电压通用Pin-Electronics的发展
通过效果显著- 06年7月,2021 -评论:0

目前,有一个自动测试设备的需求(吃)测试高/低压振幅设备在先进的生产流程和低速/高电压振幅设备由pin-electronics遗留流程制造的设备。然而,很难实现操作速度比1 gbps和多种I / O在比10 vpp,由于贸易…»阅读更多

功率放大器为5克战争开始
通过马克LaPedus8月24日,2020 -评论:2

需求增加功率放大器芯片和其他射频设备5 g基站,为不同公司和技术之间的摊牌。功率放大器设备是一个关键组件,提高基站的射频功率信号。它是基于两个竞争技术,硅LDMOS或射频氮化镓(GaN)。氮化镓,III-V技术,优于……»阅读更多

金属供应商眼新的应用
通过马克LaPedus2020年2月- 20(-评论:0

一些设备制造商正在开发或增加新的摘要化学汽相淀积(金属)系统的市场,希望捕获应用程序的下一波增长领域。中各种金属设备供应商之间的竞争是非常激烈的市场,即德国爱思强公司股价,AMEC Veeco。此外,金属设备供应商正在寻找2020年恢复增长,但b…»阅读更多

射频GaN收益蒸汽
通过马克LaPedus——11月21日,2019 -评论:0

宽禁带半导体是热门话题。一种宽禁带半——碳化硅(SiC)——是热门话题,获得蒸汽在电动汽车和其他系统。但是我们不要忘记氮化镓(GaN)。二进制III-V材料,氮化镓10倍的击穿场强比硅电子迁移率的两倍。氮化镓用于led,力量…»阅读更多

氮化镓与硅5 g
通过凯文·福格蒂8月- 15,2019 -评论:0

全球竞相推出5 g mmWave频率可能提供一个期待已久的市场机会,氮化镓(GaN)作为硅的替代品。甘5 g射频比硅更高效。事实上,氮化镓在5 g继承人硅功率放大器多年来,特别是mmWave 5 g网络。是什么让它如此有吸引力的是其高效的能力…»阅读更多

混合4 g和5克
通过迈克·罗莎3月- 15,2018 -评论:0

5 g网络ICs的数量和类型将影响终端用户设备和基站用于传输的信号(包括重播这些信号的中继器)。之前这是我们开始考虑所需的技术影响基础设施支持的数据中生成5 g的生态系统(服务器,内存等等)。首先,预计5 g传输10…»阅读更多

铸造厂看到混合未来
通过马克LaPedus- 12月21日,2016 -评论:1

在动荡的商业环境,硅铸造行业预计将稳步增长在2017年一些流程片段。过去几年,铸造市场有望在2017年增长速度比整个集成电路产业。但与此同时,集成电路产业铸造客户base-continues见证一波疯狂的并购活动。基本…»阅读更多

射频GaN收益蒸汽
通过马克LaPedus——7月25日,2016 -评论:0

(getkc RF id = " 217 " kc_name =“氮化镓”](GaN)设备市场升温之际,需要更多的性能更好的一系列系统的功率密度,如基础设施设备、导弹防御系统和雷达。在一个方面,例如,射频GaN开始取代硅基技术在当今无线基站功率放大器插座。氮化镓是m…»阅读更多

等待5 g技术
通过马克LaPedus——6月23日,2016 -评论:1

一段时间以来,运营商、设备厂商和芯片制造商已经准备下一代无线标准称为第五代移动网络,或5 g。5 g是当前无线标准的后续4 g,或者长期演进(LTE)。这将使数据传输速率超过10 gbps, LTE的吞吐量或100倍。但最大的问题是5克是否会……»阅读更多

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