使用氮化镓开发和评估用于ATE的8 Gbps高速继电器MMIC。
研制了一种用于自动测试设备(ATE)的8 Gbps高速继电器MMIC，并进行了评估。金属-绝缘体-半导体结构与氧化氮化钽被用于降低ATE应用的泄漏电流。制作的MMIC显示0.3 nA的泄漏电流，12 GHz的-3 dB带宽，以及使用18引脚QFN封装的8 Gbps信号的出色开眼效果。MMIC具有2.0 x 2.4 mm的封装尺寸，实现了比ATE中普遍应用的现有光中继更高的通道密度。
点击在这里阅读更多。文章刊登在2022年6月的《Probo》杂志上。
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