释放潜在的化合物半导体:台湾在半导体行业领导者合作2022年创建生态系统

实现高速处理超过100倍硅化合物半导体的设备吸引开发者的尖端技术最大化性能在关键领域包括汽车、数据中心和通讯。与化合物半导体的重要性不断上升的背景下,权威专家聚集在权力和2022年台湾在半导体光电子半导体论坛讨论日益增长的重要性设备芯片创新为产业开发一个健壮的化合物半导体的生态系统。下面是关键的外卖活动。

高管在权力和2022年台湾在半导体光电子半导体论坛。左到右:尼古拉斯Muesgens博士,高级产品经理,德国爱思强公司股价SE;亚洲销售业务发展副总裁伊恩·赖特先生,牛津仪器;卢克·李,总统先生的韩国、台湾和南亚,德州仪器公司;布莱恩先生李,全封闭,赢得半导体公司;克莱尔特罗德克女士电力无线部门主任Yole组;斯蒂芬·科茨先生,总经理(亚洲)&运营副总裁,GaN系统有限公司;巴里林博士,首席技术官,Wavetek微电子公司;董事总经理加里黄先生,台湾,英飞凌科技台湾;Hsien-Chin邱博士,副总裁、研发,Wavetek微电子公司; Dr. Hao-Chung Kuo, Director of Semiconductor Research Center, Hon Hai Research Institute (Foxconn); Mr. Edwin Chew, Regional Product Marketing/Applications Manager, KLA Corporation; Ms. Jo-Ann Su, Senior Director, SEMI.

化合物半导体材料驱动创新

电气化和可持续性等全球趋势正在推动电源设计工程师寻找新的方式来包装成更小空间,同时增加设备性能和降低成本。“宽禁带半导体(银行)到达正确的时间像传统硅功率集成电路的方法他们的物理限制,“说权力和光电子半导体论坛发言人Luke李副主席亚洲和德州仪器台湾总统,韩国和南亚。

李说,氮化镓(GaN)集成电路可以处理大量的权力以固定大小或通过效率高、功率密度快速交换频率。在通信和数据中心,硅和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)现在占主导地位,氮化镓可以用来加强通道密度测试和测量的应用,提高储能系统的功率密度自ICs平衡装置效率和成本是有效的。

与硅达到其性能极限,事件发言人西蒙·t·丹以台湾总统表示,新材料是解决关键技术挑战带来的大趋势,如物联网(物联网),自动驾驶,开车到零。下一代的电子创新将使化合物半导体,利用新材料。原因是在化合物半导体材料使用传统材料消耗的能量的一小部分存储、路线,传输,和检测数据,驱动采用的上升GaN和碳化硅(SiC)使高效、健壮的高压应用程序。

快速充电器的电动车(电动车)市场正在蓬勃发展,发展的背后力量GaN生态系统自2019年以来,打开门更多的银行资料。GaN效率高、体积小的适合汽车车载充电器,数据中心的电力供应和电力工程应用,丹说。

Hsien-Chin赵,研究和开发的副总裁Wavetek微电子公司指出,5 g的性能和可靠性要求的基础设施和近地轨道卫星(狮子)市场正在推动高效率天线阵列和功率放大器的发展。趋势也推动了从远程无线头(RRH)转向主动天线系统(AAS)的技术基础收发站(BTS),以及远离无线电频率(RF)前端与传统单一,高功率放大器发射机天线/ PA(相控阵)体系结构。

市场研究公司Yole情报项目甘RF设备市场将达到20亿美元,到2025年,经济增长主要由通信、卫星和国防应用程序。

尼古拉•Muesgens高级产品经理产品营销管理德国爱思强公司股价,预测,电力供应和电力逆变器将继续推动采用世行集团甘材料预计将深化其在硅电力市场的渗透。材料性能、成本、可用性的关键因素在世行集团采用的保持目前的速度。

潜力巨大的数据中心、汽车和通讯应用程序

斯蒂芬·科茨、亚洲总经理和运营副总裁甘系统,复合半导体是刺激的扩散GaN说数据中心和汽车应用程序,因为他们的电源效率和趋势将加快速度随着越来越多的化合物半导体开发和商业化。克莱尔·马Szu CSCP网络采购经理部门在微软,呼应了科茨,解释:“网络在数据中心的流量聚合和关键任务。齿轮的专用硬件的网络生态系统需要继续探索新技术来推动经济增长。网络所需要的是合作Si-based IC解决方案和基于III-V光学解决方案的带宽可以以所需的速度保持增长。”

“半导体的核心是创新在今天的汽车,”埃德温咀嚼说,解放军的区域产品营销公司的经理。“汽车ICs受到更严格的可靠性标准比其他半导体的应用程序。安全是首要任务,其次是功能和性能,使芯片可靠性和车辆安全的关键功能。电力设备用于汽车应用程序同样应当符合严格的质量标准和其他汽车ICs。”

通信应用程序时,查克•黄老avon赢得半导体,在营销中心说:“明显优势的高频率、高力量,更好的效率和发光,化合物半导体正在改变我们的生活方式。他们不仅是一个射频解决方案的一部分,从早期细胞5 g通信,但也用于开发光学应用在传感和通信应用。当前增强现实和虚拟现实的发展,自主驾驶,metaverse化合物半导体的应用将推动下一波创新”。

化合物半导体技术和市场开拓进取

主席Ke-Horng陈的电子和电气工程系教授国立阳明大学说从耗尽型单片集成芯片制造氮化镓(dGaN)和增强型GaN (eGaN)设备最近被开发出来。甘连续过程和设计技术是确保甘单片集成解决方案的关键因素是可行的。然而,如何开发解决方案来取代MOSFET由于GaN过程不足已成为一个挑战。

主要问题是当前的诱捕效果,自动加热问题和控制效果降低氮化镓芯片整体性能在高功率密度的解决方案,。克服这种障碍的关键开发甘单片集成的解决方案是将温度补偿(T-compensated)控制器以及快速刺激(FTO),亚稳快(MSF)比较,pre-driving和稀释技术集成一个650 v伊根电源开关。

牛津仪器等离子技术专业pGaN HEMTs GaN MISHEMTs,专注于原子层处理解决方案创建下一代氮化镓功率设备。公司的设计师pGaN HEMTs和GaN MISHEMTs解决方案是采用前瞻性技术低损的原子层沉积,高质量的电介质和钝化层的准确,控制原子层腐蚀。

克洛斯Wisniewski),该公司的执行董事,表示原子尺度处理生产解决方案可以提高氮化镓HEMT电力电子应用程序的性能。他强调,GaN HEMTs电力电子将在2030年成为价值十亿美元的产业。和一些非常高增长市场,如自主车辆和数据中心,各种组件的几何形状和生产技术将使电力半导体更高效、更小、更轻和更低的成本和能在高温下运转。

Mikko索德伦德,半导体ALD销售主管Beneq,指出GaN-based技术普遍在电力设备和集成电路,射频设备,发光二极管和MicroLEDs。氮化镓材料直接能带了可能的应用,如daylight-visible全彩LED显示屏、白色发光二极管和蓝色激光设备。最近扩展MicroLED技术和GaN-on-Si支持技术的出现拐点向更高的亮度显示,他说。非常高的击穿电压,氮化镓高电子迁移率和饱和速度也让GaN-on-Si大功率微波应用的理想材料。此外,增强型GaN晶体管使另一个技术拐点,这个从功率mosfet GaN HEMTs为更高的开关速度或功率转换效率。

克莱尔·特罗德克电力无线主管部门Yole情报,表示,台湾在发展中国家取得了引人注目的成就,氮化镓、砷化镓和InP化合物半导体在过去的几十年里,和每个材料已经渗透到大众市场在电力电子行业包括汽车和消费者。采用这些材料在工业、能源和通信市场将进一步促进化合物半导体的增长。

关闭论坛,Hao-Chung郭,在鸿海精密半导体研究中心主任研究所强调,化合物半导体将成为未来不可或缺的创新和应用。“除了自己的未来业务发展计划,鸿海发誓要竭尽全力支持相关技术的推广和项目在台湾科技产业和期待与产业链一起成长,”他说。