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相变存储器

内存存储信息的无定形和结晶阶段。
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一种内存存储信息的无定形和结晶阶段。它可以可逆地改变与外部电压。

相变存储器(PCM)被认为是内存存储类适合DRAM和NAND内存之间的层次结构。在这堂课上最突出的记忆是3 d XPoint,由英特尔和微米,有望用于服务器的容量。建立在一个两层的多层架构,一个3 d XPoint设备是在128 -千兆密度使用20 nm几何图形。读取延迟大约是125 ns 200 k周期的耐力。

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