批量生产使MRAM和极化。
半导体行业的边缘是一个革命性的计算由大数据时代,人工智能(AI)和物联网(物联网)。然而,实现所需的计算性能和效率的改善新的AI和物联网应用程序代表了行业面临着最大的技术挑战。
最关键需求是实现新的内存技术。这是讨论的主要焦点在第11届国际记忆车间(世界地图)最近在蒙特雷举行,在那里领导专家审查的最新进展过程和设计技术,应用程序和内存解决方案的市场需求。
联合CEA-Leti和应用材料研讨会题为“PCM / MRAM:会发生什么/怎样管理人工智能、内存计算和物联网,“尊敬的公司代表报告当前的挑战,研发进展和新的解决方案。几个主题出现在演讲;其中最主要的是需要更高效的计算当前轨迹的能源消耗是不可持续的。也非常不同的应用程序和市场驱动不同的内存需求,技术和策略。经过多年的发展和学习,过程技术准备支持新的内存类型在商业应用程序的使用。
今天的基本驱动的产业路线图是爆炸的数据。到2022年,超过10字节的数据大约90%的机器产生的需要处理,存储和转移。这些大量的数据反映出更聪明的扩散等边缘应用智能音箱,衣物、工业传感器和智能车辆。我们看到很多的数据中心。这一切的能源需求处理和数据传输可以消耗相当于整个国家的能源供应如果任其发展。
根据演讲者之一,90%的能源消耗内存用于传输数据。移动内存接近计算可以缓解这个问题。正在从事多种策略以增加内存和计算的功率和性能效率,包括内存优化对于边缘和存储应用程序,新系统芯片(SoC)的包装方案,使用tsv 3 d包装,和内存计算,有潜力提供一个8 x减少能量。
没有一个新的内存类型可以处理所有新兴的数据生成应用程序的不同的需求。从一系列新兴的记忆,MRAM、极化和ReRAM正在实现市场采用的成熟度级别。每个技术属性优化各种applications-MRAM边缘和物联网,极化的云朵,而是所有将改善性能和能量消耗。
高亮显示制造业新兴记忆取得了进展,但应用同事关注如何使这些技术,特别是MRAM和极化,进入批量生产。
MRAM的主要挑战是内存堆栈的沉积,它通常是用PVD技术。原子水平精度和控制需要存款超过10个不同的材料在30多个极薄层,其中一些可以只有几埃厚。无损害腐蚀和封装需要维护的完整性至关重要,很薄的磁性隧道结。
像MRAM,极化是通过新材料和需要创新PVD和腐蚀技术。被composition-based(包括三种不同的元素结合),极化材料往往是非常复杂和厚度均匀性是至关重要的。旋钮,使创作过程调优和最小的伤害是非常重要的材料将如何变化阶段。过程技术允许调整成分保留高、温度、高速度和高endurance-depending在应用程序上。
材料的形成堆栈决定内存的性能。使用这么多复杂的材料,暴露在大气中会造成污染和破坏。这需要一个超高真空解决方案,集成了多种工艺技术与计量,确保原始完整性和控制材料的高容量生产materials-enabled记忆。
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