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标签:极化

CXL和OMI:竞争还是互补?
通过布来安梅奥- 2022年3月23日-评论

系统设计师正在寻找他们能找到的任何增加内存带宽和容量的想法，关注从内存改进到新型内存的所有事情。但是，更高级别的体系结构更改可以帮助满足这两种需求，即使内存类型从cpu中抽象出来。两个新的协议正在帮助实现这一目标，CXL和OMI。但有一个隐现的问题……»了解更多

记忆中错误越多，纠正越多
通过布来安梅奥- 2021年11月9日-评论

当任何类型的存储位单元变得更小时，由于较低的边际和过程变化，误码率会增加。这可以使用纠错来解释和纠正比特错误，但是随着更复杂的纠错码(ECC)的使用，它需要更多的硅面积，这反过来又推高了成本。鉴于这一趋势，迫在眉睫的问题是……»了解更多

新的记忆会带来新的错误
通过布来安梅奥- 2021年9月7日-评论

新型非易失性存储器(NVM)为改变我们在片上系统(soc)中使用存储器的方式带来了新的机会，但它们也为确保它们按预期工作带来了新的挑战。这些新的内存类型——主要是MRAM和ReRAM——依靠独特的物理现象来存储数据。这意味着在发布之前可能需要新的测试序列和故障模型。»了解更多

就地执行发生了什么?
通过布来安梅奥- 2020年8月25日-评论:0

直接从存储代码的非易失性存储器中执行代码，大大简化了计算架构——特别是对于微控制器(mcu)等简单的嵌入式设备。然而，记忆过程和逻辑过程的分歧使得这在今天几乎不可能。术语“就地执行”或“XIP”起源于mcu中的嵌入式NOR存储器，使XIP可行. ...»了解更多

表征新兴存储器的短流量测试阵列的设计和测量要求
通过PDF的解决方案- 2020年7月7日-评论:0

新兴的非易失性存储器对嵌入式和存储类应用越来越有吸引力。后端集成存储单元的开发挑战之一是学习周期长和晶圆成本高。我们提出了一种基于短时流的表征存储阵列使用交叉点阵列的方法。对设计要求和可测试性进行了详细的分析。»了解更多

新一代芯片的堆积、缩小和检测面临的挑战
通过Ed Sperling和Mark LaPedus- 2020年5月21日-评论:0

Lam Research的首席技术官Rick Gottscho接受了《半导体工程》的采访，讨论了内存和设备的规模、新的市场需求，以及由成本、新技术和机器学习应用驱动的制造业变化。以下是对话节选。SE:我们有很多不同的存储技术进入市场。这有什么影响?…»了解更多

NVM可靠性的挑战和权衡
通过布来安梅奥- 2020年4月13日-评论:0

第二部分将介绍不同的记忆和可能的解决方案。第一部分可以在这里找到。虽然各种NVM技术，如PCRAM、MRAM、ReRAM和NRAM具有相似的高级特性，但它们的物理呈现却大不相同。这就为每个公司提供了自己的挑战和解决方案。PCRAM有一段令人担忧的历史。最初由三星，美光，一个…»了解更多

扩展内存中计算加速器
通过凯瑟琳德比郡- 2020年3月19日-评论

研究人员正致力于通过限制设备中数据的移动来提高性能的新架构，但事实证明，这比表面上看起来要困难得多。关于基于内存的计算的争论现在已经很熟悉了。许多重要的计算工作负载涉及对大型数据集的重复操作。将数据从存储器移到处理单元，然后再移回来——即所谓的……»了解更多

驯服新颖的NVM不确定性
通过布来安梅奥- 2020年3月10日-评论

新的存储技术可能具有不确定的特性，增加了校准的测试负担，并且可能需要在其使用寿命期间重新校准。这些存储器中的许多都是为了寻找一种存储级存储器(SCM)技术而开发的，这种技术可以弥合更大、更慢的存储器(如闪存)和更快的DRAM存储器之间的差距。有几种方法……»了解更多

在Flash级别对抗持久的黑客
通过布来安梅奥- 2020年3月5日-评论:0

与过去相比，硬件供应商开始在更广泛的技术领域修补安全漏洞，这表明他们对潜在的硬件漏洞的重视程度要高得多。自从Meltdown、Spectre和Foreshadow的出现，以及最近的Cable haunted攻击以来，人们对安全漏洞的意识不断增强。芯片制造商的普遍结论是……»了解更多

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