中文 英语

口罩制造商担忧加剧

第2部分:在每个新的流程节点上,问题会继续增加,成本也会增加。

受欢迎程度

掩模在每个节点上都变得越来越复杂和昂贵,从而在几个方面带来了许多挑战。

首先,上面的特征光掩模在每个节点上都变得更小更复杂。其次,每个掩码集的掩码数量由于多重模式而增加。第三,建造和装备新的口罩制造设施的成本更高。最后,掩模工具的成本在每个节点上都在飙升。

为了找出未来掩模的需求,半导体工程公司最近对几位掩模专家进行了非正式调查。该调查要求专家们列出未来口罩制造所需技术的“愿望清单”。结果各不相同:

•大多数受访者表示,需要三种技术——光化检测、多光束掩模写入器和新的掩模计量工具。
•其他技术也上榜了,比如无缺陷技术EUV掩膜空白和EUV薄膜。新的清洁系统、维修工具和电阻也榜上有名。一位受访者认为需要更好的遗留工具。
•经济问题也是口罩制造商考虑的问题。一位受访者认为,口罩制造商需要提高价格,以提高利润率。

第一部分在本系列中检查了几个“愿望清单”项目,如经济问题,EUV掩模坯料,多束掩模编写器和检验。第二部分考察了其他技术,包括供应链、维修、清洁、计量和薄膜。

供应链
口罩制造商希望有一个更健全的供应链。为此,口罩专家在他们的“愿望清单”上列出了两项。首先,口罩制造商和他们的客户希望改进工艺流程。其次,掩模设备供应商希望他们的设备供应商开发支持旧节点的新工具,或者至少为遗留设备提供更好的支持。

在第一个方面,业界希望加快掩模的生产过程。基本上,掩模是给定IC设计的主模板。在流程中,芯片制造商设计IC,然后将其转换为文件格式。然后,基于该格式开发了掩模。

这听起来很简单,但制作掩模是一个复杂的过程,需要遵循一系列步骤。在流中,掩码空白首先使用eBeam面具的作家。然后,一旦面具是图案,它经过以下工艺步骤在订单蚀刻,计量/检查,修复和贴膜。

一旦掩模被开发出来,就会被运送到晶圆厂。然后,将掩模插入光刻扫描仪。扫描仪通过掩模投射光线,掩模反过来在晶圆上形成图像。

然而,这只是口罩生产故事的一部分。多年来,面具一直与光刻技术。今天,芯片制造商正在扩展193nm波长光刻技术,远远超出了曾经认为可能的范围。为了解决衍射问题,掩模制造商必须在掩模上使用各种十字线增强技术(ret)。

一种RET,称为光学接近校正(OPC),用于修改掩模图案,以提高晶圆上的印刷适性。OPC利用掩模上的微小辅助功能,在每个节点上都变得越来越小和复杂。最重要的是,掩模制造商正在转向新的类似ret的方案,如反光刻技术(ILT)。面具,反过来,正在从传统的方形特征转向更复杂的曲线特征。

面具在其他方面也变得越来越复杂。例如,在180nm时,每个掩模组平均有28个掩模。根据最近的一项调查,每个16nm掩模已经跃升到60个掩模eBeam倡议

屏幕截图2016-09-06下午5:19.40
图1:多个模式驱动增加了掩码复杂度。来源:光电池的。

在每个节点上制作掩码也需要更长的时间。例如,据专家介绍,制作22nm掩模所需的时间是制作250nm掩模所需时间的3倍。循环时间有时称为周转时间(TAT)。

业界想要的是更快的TAT。“在28nm节点以下,掩模验证和修复的周转时间已变得长得多。d2。“由于需要积极的OPC和ILT,这个问题继续增长。这反过来又导致采用非正交图案和复杂形状,如曲线掩模图案。有一种方法可以简化流程,从OPC到修复口罩,以减少周转时间,可以极大地帮助口罩店提高竞争力。有一个统一的掩码处理流程,这样资源和周转时间就不会浪费在数据转换上,这也很好。”

尖端掩模的TAT是一个值得关注的问题。但后缘掩模也存在问题。

事实上,对各种芯片和传感器的需求激增,导致了200毫米晶圆厂产能的短缺。这就剩下芯片制造商了努力采购200mm设备对于这些晶圆厂来说,随着这些老节点对芯片的需求持续上升。

与此同时,掩模制造商也在努力为掩模车间的旧节点获取遗留工具。一位不愿透露姓名的掩模制造商表示:“最近8英寸晶圆厂的复苏,产生了延长传统掩模制造工具寿命的需求。”“然而,许多设备公司更关注晶圆厂,而不是掩模制造基础设施。”

据该口罩制造商称,一些设备公司有点不愿意支持传统工具。因此,在某些情况下,口罩制造商自己必须支持传统设备。在某些情况下,口罩制造商必须为给定的工具采购一些关键部件。

新型计量工具
显然,光掩模制造商希望加快TAT的速度。掩码写入是流程中的一个瓶颈,而其他步骤也很耗时。“你在计量和检验上花了很多时间,”中国农业大学的技术人员托马斯·福尔(Thomas Faure)说GlobalFoundries他在最近的一次采访中说。

事实上,总检查时间和计量如今,一个口罩的使用时间约为18个小时,与几年前相比大约翻了一番。

口罩计量学是一门测量口罩关键参数的科学,具有挑战性。随着口罩复杂性的增加,口罩制造商必须进行比以往更多的测量。“每个口罩的测量数字正在爆炸式增长。我们可能会在200个地方测量口罩,但一些客户想要测量5000个地方,”大日本印刷公司(DNP)的研究员林直也说。

在计量流程的一部分,掩模制造商关心的是掩模上的关键尺寸(cd)。测量CDs的工具被称为临界尺寸扫描电子显微镜(CD-SEM)。

对于复杂的掩模,CD-SEM需要进一步的提升。为了推进CD-SEM, D2S最近与效果显著将D2S的晶圆平面分析引擎集成到Advantest的E3640系列cd - sem中。这反过来又为cd - sem掩模平面测量和晶圆平面测量提供了两个新的功能。

尽管如此,口罩制造商希望以更快的速度进行更多的测量。为此,掩模供应商需要一种更具革命性的工具——多束电子束测量工具。

这个问题?一些工具制造商正在开发多波束系统,但这些机器不适合面具检测。光掩模市场太小,无法获得多波束检测系统的投资回报。相反,这些系统的目标是更大的晶圆检测市场。

同时,检测涉及到发现口罩致命缺陷的过程。一般来说,掩模制造商使用193nm检测工具来发现传统光学掩模和EUV掩模的缺陷。

在EUV掩模上发现缺陷是具有挑战性的。EUV掩模是一个多层堆叠。在堆栈中,缺陷有时会被隐藏。

在EUV掩模检测过程中,掩模中的一些缺陷是有问题的。它们必须被识别和修复。然后,有时,工具可能会识别出似乎是缺陷的东西,但它不是真正的缺陷——它只是一个讨厌的东西或噪音。

因此,确定哪些缺陷是有问题的,哪些不是,这是至关重要的。为此,业界使用一种称为光化航空图像计量系统(AIMS)的缺陷审查工具。

一个AIMS工具是昂贵的,特别是EUV掩模。因此,掩模制造商希望看到一种具有成本效益的替代EUV的AIMS工具。“成本相当高,”DNP的Hayashi说。“很难为口罩商店买到EUV AIMS工具。”

掩模修补及清洗
同时,在流程中,检查和评审过程可以发现不需要的缺陷。然后,掩模修复系统可以在运行中修复许多这些缺陷。

掩模制造商使用两种掩模修复技术——电子束和纳米加工。卡尔蔡司是电子束掩模修复工具的唯一供应商,而Rave提供纳米加工系统。电子束和纳米加工是互补的技术。

掩模供应商想要另一种类型的修复技术。DNP的Hayashi说:“我们需要为下一代口罩配备一个气场离子源修复系统。

气体场离子源(GFIS)利用氦气和氢气作为修复面罩的手段。日立高科技多年来一直在开发GFIS修复系统。该系统仍处于alpha阶段。

除此之外,掩模制造商还必须进行各种清洁步骤,以清除掩模上的污染物、抗蚀剂和残留物。Rave的销售和市场总监布莱恩·格林农(Brian Grenon)说:“挑战在于保持口罩的清洁。”“这不仅是从颗粒物的角度,也是从分子污染的角度。分子污染开始在口罩降解中发挥同样大的作用,如果不是更大的话。”

对于光学掩模,掩模制造商通常使用混合了硫酸和过氧化氢的清洁工具。“清洁过程很糟糕,”格农说。“通常,这是湿化学。他们仍在使用硫酸和过氧化氢。这个过程中的化学物质会留下残留物,并会降解口罩。”

幸运的是,还有其他解决方案。例如,Rave的子公司Eco-Snow销售一种“全干式”非接触式清洁工具,与传统的湿式清洁系统相比,它有几个优点。该工具使用基于CO²的低温气溶胶清洁技术,适用于光学和EUV掩模。

EUV薄膜
最后但并非最不重要的是,掩模制造流程包括一些人所说的“保护和维护”阶段。在这方面,口罩制造商想要薄膜用于极紫外(EUV)光刻。

一般来说,业界有充分的理由需要EUV。芯片制造商计划将193nm浸没式光刻技术扩展到10nm和7nm。这将需要一个多重模式方案,这反过来又增加了流的复杂性和成本。"我们必须采取其他措施,将成本轨迹拉回正常曲线,"该公司代工营销高级主管Kelvin Low表示三星半导体

EUV至少在某种程度上可以简化气流。福特汽车高级副总裁兼首席技术官Dave Hemker表示:“当EUV进入市场时,它可能仍将处于混合模式林的研究。“也许你做EUV和你双模式它。”

对于EUV,薄膜是方程的重要组成部分。基本上,薄膜是在生产流程中覆盖掩模的一种薄而透明的膜。这种薄膜可以防止颗粒和污染物落到口罩上。

光学掩模的薄膜是基于一种薄的聚合物材料,这是一种成熟且被广泛理解的薄膜。相比之下,仍处于研发阶段的EUV薄膜则是另一番景象。

例如,ASML的多晶硅基EUV薄膜只有50nm厚,必须承受巨大的热量。理论上,薄膜会散热。但在这样的温度下,人们也担心EUV薄膜在加工过程中会恶化。

到目前为止,业界已经用40瓦的光源测试了一种EUV薄膜。然而,还有待观察的是,当薄膜暴露在250瓦的电源下时会发生什么。

考虑到技术的不确定性,业界正在争论EUV是否需要薄膜。根据大多数专家的说法,EUV薄膜是逻辑所必需的。如果粒子落在EUV掩模上,扫描仪可能会在晶圆上打印出不想要的缺陷。“如果我们有一个缺陷,这意味着整个模具都没有了,”该公司掩模和TSV蚀刻部门的主要技术人员兼首席技术官Banqiu Wu说应用材料

内存是另一回事。“在内存业务方面,他们更换掩码的频率要低得多。如果你换口罩的频率低得多,你可能就会有一个没有薄膜的环境。Coventor

为了解决这一问题,业界正在开发一种具有良好散热材料的新型EUV薄膜。公司产品营销总监马克•怀利表示:“市场上存在各种相互竞争的解决方案。KLA-Tencor。“但整个薄膜问题仍然很有趣。对于这种薄膜的路径,业内仍有很多争论。”

有关的故事
执行洞察:Aki Fujimura
D2S的首席执行官展望了光刻技术、掩模技术以及5nm工艺的未来。
下一个EUV挑战:薄膜
事实证明,在高温下保护掩模既困难又昂贵。



留下回复


(注:此名称将公开显示)

Baidu