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标签:薄膜

高na EUV使EUV掩模的未来更加复杂
通过简•威利斯- 2022年11月17日-评论:0

eBeam Initiative在2022年进行的第11次年度灯具调查报告称，EUV推动了半导体掩模行业的增长，而专家小组在9月底与SPIE掩模技术会议同时举行的活动中引用了转向高na EUV的一些复杂性。代表来自整个半导体生态系统的44家公司的行业名人…»阅读更多

面具景观的变化
通过简•威利斯- 2022年5月19日-意见:0

半导体掩模在经历了多年相对较小的变化之后，在过去几年中经历了一些重大的技术变化。多束掩模写入器和极紫外(EUV)光刻等新技术是进入大批量生产的重大突破。与这些技术相关的一个新趋势是在掩模上使用曲线特征。阿基…»阅读更多

EUV薄膜终于准备好了
通过马克LaPedus- 2021年3月22日-意见:0

经过一段时间的延迟，EUV薄膜正在出现，并成为关键芯片大批量生产的必要条件。与此同时，极紫外(EUV)光刻的薄膜景观正在发生变化。作为EUV薄膜的唯一供应商，ASML正在将这些产品的组装和分销转移给三井。其他人也在为下一代EUV开发薄膜。»阅读更多

EUV面临的挑战依然存在
通过马克LaPedus- 2020年11月11日-评论:2

《半导体工程》杂志与Photronics的技术和战略总监、杰出的技术人员Bryan Kasprowicz坐下来讨论光刻和掩模问题;哈里·莱文森(Harry Levinson)， HJL Lithography的负责人;NuFlare的高级技术专家Noriaki Nakayamada;以及D2S首席执行官藤村昭。以下是那次谈话的节选。竞争……»阅读更多

EUV在3nm及以下的不确定未来
通过马克LaPedus- 2020年5月21日-意见:5

几家晶圆代工厂已经将极紫外(EUV)光刻技术转移到7nm和5nm的生产中，但现在业界正在为3nm及以上技术的下一阶段做准备。在研发方面，该行业正在为下一个节点开发新的EUV扫描仪、掩模和电阻。3nm计划在2022年推出，然后在一两年后推出2nm。尽管如此，这将需要大量资金……»阅读更多

多图型EUV Vs.高na EUV
通过马克LaPedus- 2019年12月4日-评论:4

晶圆铸造厂终于开始生产7纳米的EUV光刻，但芯片客户现在必须决定是使用5纳米/3纳米的基于EUV的多模制程来实现他们的下一个设计，还是等待新的3纳米及以上的EUV单模制程系统。该场景围绕ASML当前的极紫外(EUV)光刻工具(NXE:3400C)与全新的EUV系统展开。»阅读更多

EUV掩模的检验、制模
通过马克LaPedus- 2019年11月6日-评论:0

《半导体工程》杂志与Photronics公司技术和战略总监、杰出的技术人员Bryan Kasprowicz坐下来讨论光刻和掩模趋势;蔡司战略业务发展和产品战略总监Thomas Scheruebl;NuFlare的高级技术专家Noriaki Nakayamada;以及D2S首席执行官藤村昭。符合什么……»阅读更多

EUV掩模的混合图片
通过马克LaPedus- 2019年9月16日-评论:0

据eBeam Initiative发布的最新调查显示，随着极紫外(EUV)光刻技术的投入生产，该技术的置信水平继续增长，但EUV掩模基础设施仍然好坏参半。EUV掩模基础设施涉及几种处于不同发展阶段的技术。一方面，对几种掩模工具技术的前景进行了展望。»阅读更多

EUV掩模缺口和问题
通过马克LaPedus- 2019年5月8日-评论

《半导体工程》杂志坐下来与Imec技术人员的主要成员Emily Gallagher讨论了极紫外(EUV)光刻和掩模技术;哈里·莱文森(Harry Levinson)， HJL Lithography的负责人;ASML先进技术开发副总裁Chris Spence;应用材料公司工艺开发高级总监Banqiu Wu;还有藤村昭，首席……»阅读更多

单模式与多模式EUV
通过马克LaPedus- 2019年3月25日-意见:5

极紫外(EUV)光刻技术终于进入量产阶段，但代工客户现在必须决定是使用基于EUV的7nm单模制程来实现他们的设计，还是等待，转而采用5nm的EUV多模制程。每个模式方案都有独特的挑战，这使得决策比看起来更加困难。针对7nm，单一图案…»阅读更多

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