的信心水平EUV很高,但也有一些差距。
信心水平的极端紫外线(EUV)光刻技术进入生产持续增长,但EUV掩模基础设施仍然是一个喜忧参半,根据新公布的调查eBeam倡议。
EUV掩模基础设施涉及许多技术在不同的发展阶段。面前,几个面具工具技术的前景,如多波束面具作家和光化图案的面具检查,是正的,据调查从eBeam倡议。的另一个关键部分的前景仍混合EUV-EUV薄膜。
在某种程度上EUV掩模产量提高。当前EUV掩模收益率为74%,根据新的调查。EUV掩模收益率为72%,根据2018年的调查。
不用说,这个行业想要更好的EUV掩模产量。这个行业也会喜欢所有的EUV掩模作品,如光化性检查和薄膜,实现EUV光刻技术的潜力。
这些和其他结果已经公布的eBeam倡议,一个论坛,致力于半导体制造的教育方法基于电子束(eBeam)技术。
eBeam计划公布的两项调查。一项调查集团被称为“认知调查。“行业杰出人物代表42来自半导体公司生态系统参加了今年的调查。eBeam倡议也完成了第五次年度面具制造商的调查与反馈来自11个俘虏和商人光掩模制造商。
调查收集的数据在12个月期间从2018年7月到2019年6月。报告的数据是基于599536个面具由11家公司。其中,2789 EUV掩被报道。
基于感知的调查结果,该行业仍持乐观态度EUV。在调查中,73%的受访者预测EUV光刻技术将用于大批量生产(HVM)到2020年底。相比从去年的调查中,82%的受访者预测EUV将用于2021年HVM。
今天,三星和台积电已经在生产与EUV光刻7 nm节点,尽管体积和客户群比较有限,分析师表示。台积电,期望更大的斜坡EUV 2020 nm节点。
尽管如此,EUV掩模基础设施已初具规模。一段时间,IMS奈米制造已经航运多波束面具作家,这有助于使EUV掩的发展。NuFlare也在研究这项技术。
多波束面具作家所有新面具作家购买的比例预计将增长50%到2022年底,据调查从eBeam倡议。
一段时间以来,最大的差距是光化性检查EUV图案的面具。希望填补这一空白,英联A150 Lasertec最近宣布,一个面具检测系统检查花纹面具EUV而设计的。
光化性检验的前景保持乐观。在eBeam倡议调查中,只有5%的受访者预计,它永远不会被用于HVM。
之前,EUV薄膜也是一个缺口。约82%的受访者预计,EUV薄膜将供2022 HVM,据调查。
不过,总的来说,前景是积极的EUV和其他技术。“每年年度eBeam倡议调查提供有价值的洞察趋势如何影响半导体产业的关键。今年的调查并无不同,结果显示持续强劲情绪与EUV光刻,ILT和多波束面具写作”,说阿基》的首席执行官d2,管理公司eBeam倡议的支持。
这里有一些其他调查的结果:
•面具平均周转时间(乙)7到11 nm基本规则是11.07小时,只要面具答两倍以上32 nm 45纳米。
•75%的参与者预测,逆光刻技术(ILT)将用于与EUV光刻至少到2022年大批量生产芯片的一层。
•使用教师今天在生产被认为与去年相比增加的调查。
•深度学习可能会采购标准很快半导体业务。
》将面具的结果制造商的调查在本周邀请谈话有光掩模技术研讨会在蒙特雷,加州。
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