中文 英语

准备High-NA EUV


半导体行业正在开发high-NA EUV全速前进,但抚养下一代光刻系统和相关基础设施仍然是一个巨大的和昂贵的任务。ASML发展其大数值孔径(high-NA) EUV光刻线有一段时间了。基本上,high-NA EUV扫描仪是今天的EUV光刻系统的后续……»阅读更多

喜忧参半的EUV掩


信心水平的极端紫外线(EUV)光刻技术进入生产持续增长,但EUV掩模基础设施仍然是一个喜忧参半,根据新公布的调查eBeam倡议。EUV掩模基础设施涉及许多技术在不同的发展阶段。在一个方面,几个面具工具抛光工艺的前景……»阅读更多

周评:制造、测试


美国和中国之间的贸易贸易紧张关系继续下去。美国去年10%的关税价值2000亿美元的中国商品。中国报复性关税为10%的美国进口600亿美元。美国说,它希望增加对中国商品的关税至25%,但这一行动被推迟了。这是本周,美国应该提高关税25%。我…»阅读更多

多波束面具写最后是年龄


奈米制造的首席执行官埃尔Platzgummer IMS,坐下来与半导体工程讨论光掩模和面具写作趋势。IMS,英特尔公司的子公司,是光掩模的多波束电子束系统的供应商生产。以下是摘录的谈话。SE:多年来,光掩模制造商利用单光束电子束工具模式或写功能……»阅读更多

将工厂工具持续繁荣周期?


工厂设备支出有望创纪录的一年,2017年和现在看来势头可能会持续到2018年。工厂工具厂商发现自己处于一个意想不到的繁荣周期在2017年,由于巨大的对设备的需求[getkc id = " 208 "评论=“3 d NAND”),并在较小程度上,[getkc id = " 93 " kc_name = " DRAM "]。然而在逻辑/铸造业务,设备deman……»阅读更多

与工厂循环次数


从平面设备转向finFETs使芯片制造商能够扩展他们的流程和设备从16 nm / 14 nm和超越,但每个节点的行业面临着几个挑战。成本和技术问题是显而易见的挑战。此外,循环时间关键但不公开的一部分chip-scaling方程还正在增加在每个转折点,为芯片制造商创造更多的焦虑和…»阅读更多

光掩模内写


鸠山先生的山田,董事会成员和掩模光刻部门主任NuFlare,坐下来与半导体工程讨论光掩模技术,电子束面具作家趋势和其他话题。NuFlare是世界上最大的供应商电子束面具的作家。以下是摘录的谈话。SE: [getkc id = " 265 " kc_name =“光掩模”)市场看看……»阅读更多

2017年工厂工具商业面临着挑战


在经历一个逐渐复苏,并在2016年正增长,半导体设备行业看到了2017年喜忧参半以及一些不确定性。在短期内,业务是健壮的。一些芯片制造商开始将相当多的工厂工具订单在2016年后期,尤其是在三areas-3D NAND逻辑和铸造。现在,在购买后…»阅读更多

更多的EUV掩模间隙


极端紫外线(EUV)光刻技术是在一个关键时刻。经过几次延误和故障,[gettech id = " 31045 "评论=“EUV”]现在是针对7和/或5 nm。但仍有许多技术之前必须一起EUV插入到大规模生产。如果作品不属于的地方,EUV可能再次下滑。首先,EUV源必须产生更多…»阅读更多

逆光刻怎么了?


近10年前,这个行业推出了一个潜在的颠覆性技术称为逆光刻技术(ILT)。但教师的时间,导致行业推动了技术和把它niche-oriented应用程序。今天,然而,教师越来越新的关注,半导体行业将向7纳米,甚至超越。教师不是一个下一代……»阅读更多

←旧的文章
Baidu