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DSA,多波束取得稳定的进步

Laurent疼痛,CEA-Leti光刻实验室经理,在光刻谈论什么是可能的,可能是什么,当它会发生。

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半导体工程坐下来讨论当前和未来的光刻技术挑战与劳伦疼痛,光刻CEA-Leti实验室经理。以下是摘录的谈话。

SE在光刻:CEA-Leti两大项目。一个在定向自组装(DSA),另一个是在多波束电子束。让我们开始与多波束。Leti在多波束和想象项目是关于什么的?
疼痛:Leti历史悠久在电子束直写光刻和这项技术的集成示范支持互补金属氧化物半导体制造业。Leti目前正在评估,推动插入这个光刻技术概念的想象程序。这是围绕Mapper光刻的多波束电子束平台。四年前,Leti发起一个合作计划,帮助加速大规模并行电子束的方法。想象一下地址映射工具评估的平台。它还地址抵制过程,数据处理、除气和视觉污染。我们的合作伙伴包括台积电、圣、佳能、电话,DNS,托托,JSR,陶氏,日产化学、Aselta Nanographics和导师图形。我们还在讨论一些新的前景。

SE:也不是Leti eBeam倡议?
疼痛:Leti在电子束光刻技术有很多的专业知识,并展示了其能力满足互补金属氧化物半导体制造业需求在一个真正的工厂环境。从这个背景,中打开和主动名为ML2 Leti赞助商的促进政策由eBeam倡议和验收的电子束技术行业。作为一个活跃成员,Leti参与演示EBDW的吸引力。

SE:什么是多波束的地位从映射工具吗?Leti安装系统吗?
疼痛:一个原型平台自2009年以来一直在Leti内部操作的前提。它展示了18海里半个球场分辨能力。我们非常接近16 nm半个球场。前期制作平台正在安装中针对2014年初首次曝光。

SE:Mapper原来承诺船13000多波束工具与梁了,但是系统的发展已经远远比此前认为的更加复杂。现在,第一台机器从映射器只包含1300束,对吧?
疼痛:是的。第一次曝光定于2014年初。然后,我们计划增加工具。最初的目标是每小时32 nm半个球场有一个晶片(wph) 2014年吞吐量。从研发技术过渡到中打开实际上,名为ML2试点。2014年将是关键的一年,演示的目标完全暴露,对齐功能和一个wph吞吐量。这是大于100 x的单一电子束技术。

SE:最终目标仍然是开发一个映射器工具13000束,对吧?
疼痛:每小时10片吞吐量的最终目标定于2015年与13000年梁工具。所以,最初的目标是32 nm半个球场wph吞吐量在2014年,并于2015年10 wph的最终目标。

SE:我们已经见过几个多波束的延迟。一般来说,当你看到多波束终于进入生产和节点是什么?
疼痛:时间去分析和提高技术是2015年代中期,最有可能的一个wph系统。同时,10 wph原型将在资格。第一个系统将更有可能被用于少量生产,将地址不仅先进节点来克服多模式的成本问题,但是还欠发达节点吞吐量能力每小时从2到5晶片。最后,对于快速原型和更快的周期时间,这种工具的引入可以给芯片制造商一个实质性的竞争优势。

SE多波束的应用程序是什么?
疼痛:联系和通过水平应该是第一个目标。最终,我们看到的所有级别,你可以避免和double-patterning三倍。

SE:你认为最大的挑战是为了多波束电子束进入大规模生产吗?
疼痛:基本上,没有技术问题是预见到目前在模块级别。主要风险包括完整的系统集成和基于过渡时间的速度这未来的工具。行业验收也很关键。尽管利息水平,仍有技术和政治问题要克服。技术的一个更广泛的接受,当然,会加速技术的斜坡。

SE:有什么挑战多波束的抗拒,面具数据准备和其他基础设施问题?
疼痛:抵制技术是一致的内在性能(即分辨率,l)与EUV。关于敏感性,在目标与一个可接受的吞吐量。在面具数据准备,从EDA供应商有很好的支持,我们不期待任何困难有数据基础设施准备。

SE:多波束有没有优势极端紫外线(EUV光刻)吗?
疼痛:在中打开的主要优点名为ML2 EUV工具成本和不需要一个面具。ML2技术应该减少对终端用户的拥有成本,采用它。EUV今天遭受主要从源功率功能,影响吞吐量。ML2又需要时间展示完整的吞吐能力的制造水平。EUV今天展示了更好的光刻在预生产工具。开始中打开在名为ML2预计将达到这一水平2014。尽管如此,我们觉得也可能采用这两种技术,对中打开与EUV很高的批量生产和名为ML2处于低度到中度的批量生产。

SE:除了台积电和意法半导体,乏善可陈的支持多波束的行业。现在是多波束看到更多行业的支持吗?
疼痛和中打开:主要IDMs仍密切关注名为ML2声称他们将完成他们的决定一旦技术能力证明,时机是正确的。兴趣转移和增加在第二波IDMs,正在寻找机会访问技术。ML2提供了可能性解决中长期高端节点具有相同的平台和基础设施需求以更低的成本。

SE:让我们搬到DSA。在DSA Leti正在做什么?
疼痛:通过与法国合作聚合物制造商,阿科玛双氧水有限公司遵循严格的Leti正在引入DSA技术制造。为此,Leti已经建立了一个联合协作项目命名为理想。理想的合作伙伴,阿科玛双氧水有限公司遵循严格的DNS,电话,ST,托托,荷兰阿斯麦公司的导师图形和CNRS法国实验室LTM和LCPO。目的是开发一个使用PS-PMMA和高气聚合物材料平台,兼容互补金属氧化物半导体制造业需求的供应和规范。另一个目标是演示的嵌段共聚物材料在Leti阿科玛双氧水有限公司遵循严格的300毫米DSA试点。我们不仅要将材料和技术集成到一个标准的CMOS流,而且开发设计和设备基础设施。

SE:你与DSA证实?
疼痛:现在是到达点阿科玛双氧水有限公司遵循严格的准备供应PS-PMMA体积的材料和规格要求的行业开始实现。Leti实现了这些材料在其300毫米试点线,实现决议下来10 nm半个球场,与优秀的CD控制和边缘粗糙度后转移模式。真正的测试用例是持续集成工作。第一个证据的新一代高气材料sub-10nm节点已经实现。工作是专门用于接触和通过,申请联系收缩和乘法。

SE:光刻DSA哪里合适?收益率与DSA或缺陷呢?
疼痛:DSA技术是适合接触/通过BEOL应用程序模式。第二个应用程序行和空格finFet /纳米线的水平。Defectivity可能是技术的一个奇观。这是其中的一个重点研究Leti处理的阿科玛双氧水有限公司遵循严格的材料。我们正在为我们的合作伙伴和生成数据初始趋势看好。但需要确认在示威和处理。

SE:最后,当你认为DSA将进入生产吗?
疼痛:这是一个很好的问题。如果我们确认一个好的defectivity趋势,我一点也不惊讶看到介绍开始在2015年到2016年,可能对于内存应用程序首先PS-PMMA材料。今天,很多活动程序直接在工厂环境中运行。这种技术提供了潜力的决议和成本。对于线和空间应用程序,可能sub-10nm节点的插入点气高的嵌段共聚物。



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