标签:Mapper光刻

下一代光刻技术选择设备
通过马克LaPedus——4月18日,2019 -评论:2

芯片制造商增加极端紫外线(EUV)高级逻辑7纳米光刻技术和/或5海里,但EUV光刻并不是唯一选择在桌子上。一段时间,业界一直致力于各种各样的其他下一代光刻技术,包括新版本的EUV。每种技术都是不同的,针对不同的应用程序。有些人今天,w……»阅读更多

点评:制造业的一周
通过马克LaPedus- 4月27日,2018 -评论:0

芯片制造商报道,英特尔在10海里苦苦挣扎。英特尔已经遇到了一些困难,因为芯片巨头去年年底推出体积增加的新10 nm过程从2017年下半年到2018年的第一部分,分析师表示。英特尔继续挣扎在10纳米,再次推迟了坡道的体积,根据多个报告。在其收益……»阅读更多

制造业:3月6日
通过马克LaPedus- 06年3月,2018 -评论:0

安全与多波束Leti ICs,东航科技研究所,和Mapper光刻技术开发了一个新的应用程序的多波束,直写光刻技术安全。2016年,Mapper光刻技术介绍了flx - 1200,多波束电子束直写系统。使用5-kV加速电压、梁生成器创建一个电子束直径约3厘米。然后,…»阅读更多

新模式的范例吗?
通过马克LaPedus- 4月16日,2015 -评论:0

在每个流程节点芯片扩展变得更加困难,但是这个行业继续寻找新的和创新的方法来解决这个问题。因此芯片制造商继续3月各个流程节点。但问题是多久?事实上,在16 nm / 14 nm,芯片制造商正在寻找新的和不同的挑战,这反过来可能会减缓IC缩放或br…»阅读更多

下一代光刻技术怎么了?
通过马克LaPedus- 03年9月,2014 -评论:2

芯片制造商继续3月工艺曲线。使用今天的光学光刻和多个模式,半导体行业扩展其尖端设备远远超出了曾被认为是可能的。问题是这个行业可以扩展多远193海里浸泡(getkc id = " 80 "评论=“蚀刻”)和多个模式之前,这些技术成为t…»阅读更多

多波束看到光
通过马克LaPedus——6月19日,2014 -评论:2

多波束电子束市场两个不同的方向。多波束的光掩模写作是将起飞。其他市场,多波束直写光刻中仍处于早期阶段,仍在不断变化。多波束直写的部分,例如,多个来源表明KLA-Tencor退出这个市场专注于其…»阅读更多

DSA,多波束取得稳定的进步
通过马克LaPedus2013年12月- 12 -评论:0

半导体工程坐下来讨论当前和未来的光刻技术挑战与劳伦疼痛,光刻CEA-Leti实验室经理。以下是摘录的谈话。在光刻SE: CEA-Leti两大项目。一个在定向自组装(DSA),另一个是在多波束电子束。让我们开始与多波束。什么是Leti在多波束和做什么……»阅读更多

光刻的重置按钮
通过马克LaPedus- 3月21日,2013 -评论:0

由马克LaPedus在持续的延迟和挫折,极端的紫外线(EUV)光刻和多波束电子束都错过了10 nm逻辑节点。所以目前,芯片制造商必须采取强力的路线在10纳米与多个成像通过使用193 nm液浸式光刻技术。现在,是时候点击重置按钮。对于7 nm节点,芯片制造商目前正在排队石印竞争……»阅读更多

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