英特尔将10海里;FD-SOI;多波束安全联盟。
芯片制造商
报道,英特尔挣扎在10纳米。英特尔已经遇到了一些困难,因为芯片巨头去年年底推出体积增加的新10 nm过程从2017年下半年到2018年的第一部分,据分析师。
英特尔继续挣扎在10纳米,再次推迟了坡道的体积,根据多个报告。在其本周财报电话会议英特尔表示:“英特尔目前运输容量10 nm产品和目前预计10 nm批量生产转向2019。”
英特尔将问题归咎于多个模式问题。
与此同时,台积电已经开始航运7海里过程,据该公司。所以基于,台积电argubly率先过程技术竞赛10 nm / 7纳米领域。
英特尔和台积电都是使用193 nm浸没式光刻10 nm / 7海里。三星还没有进入生产7海里。三星希望增加7海里使用极端的紫外线(EUV)光刻技术,它还没有准备好。
GlobalFoundries希望今年增加7海里。
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GlobalFoundries宣布Arbe机器人选择女朋友的22纳米FD-SOI过程成像雷达技术。Arbe雷达实时展示了1度的决议,为传感器提供所需的增强和ADAS技术。Arbe的目标是构建一个传感系统和高分辨率零误报,所以车辆能够做决定只依赖雷达提供的数据。
联华电子公司(联电)录得的结果。第一季合并营收就像去年同期上涨了2.4%。“在2018年第一季度,尽管美元NT不宜运动,我们的铸造新台币374.4亿元营收增加2.5%不可小觑。稳定的加载在8 -和成熟的12英寸的技术导致了整体利用率94%,将晶片出货量175万8英寸晶圆。软化在智能手机和其他无线设备的需求超过抵消力量在计算机和消费领域,“联华电子的联席总裁Jason王说,在一份声明中说。
工厂工具制造商
集团公司和大学发起了一场多波束直写联盟在台湾。这个项目是针对飞行员安全芯片的生产。
该项目被称为MEB12或12英寸硅片的大规模电子束直写光刻。屏幕上的半导体已经签署了一份谅解备忘录国立清华大学在台湾启动程序。MEB12程序还包括Mapper光刻多波束直写系统的供应商。映射器的工具是针对“芯片上的安全”应用程序。屏幕将支持MEB12程序与外套/开发跟踪和单晶片清洗系统。EDA供应商Synopsys对此也是集团的一部分。
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KLA-Tencor有报告净收益3.07亿美元,或每股1.95美元,营收为10.21亿美元。“KLA-Tencor交付另一个记录3月季度业绩,收入超过10亿美元,并最终完成指导区间的上端,”评论里克•华莱士KLA-Tencor的总裁兼首席执行官。
电话录得的结果。销售额增长38.1%在DRAM和NAND闪存市场的繁荣。另外,电话也宣布计划建造新的制造建筑子公司,东京电子技术解决方案。新的建筑物将建在子公司的山梨县(藤井)和东北办公室网站。
效果显著公布了结果。销售和订单吃的巨人。
市场研究
美国的北部半导体设备制造商发布全球24.2亿美元的比林斯在2018年3月,根据半。比林斯数字是0.4%高于决赛2018年2月24.1亿美元的水平,比2017年3月比林斯高16.7%水平为20.8亿美元。
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