点评:制造业的一周

工厂的工具和测试
四名前雇员应用材料被美国指控涉嫌试图窃取公司的工厂工具技术设计,一份报告显示从布隆伯格和其他人。前雇员涉嫌试图把技术卖给中国公司将与应用,根据该报告。

前陈employees-Liang唐纳德•Olgado Wei-Yung Hsu)和罗伯特·Ewald-were据称控计划利用偷来的信息出售给一家初创公司,根据该报告。如果指控成立,他们将面临10年监禁和250000美元的罚款,根据水星新闻。

根据汞的消息:“陈,52岁是一个公司的副总裁和总经理的替代能源产品部门;Olgado, 54工程在产品商业集团的董事总经理;许,57岁,是一个半导体内的副总裁和总经理领导的部门;埃瓦尔德,60岁的主任能源和环境系统在替代能源产品部门。”

这些指控,可以读吗发行,起诉了11月30日。

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台积电举行了17年供应链管理论坛并为其颁奖各种工具和材料供应商在2017年。颁奖反映其供应商的贡献,台积电的10 nm能力坡道和技术开发在7海里。

十二个供应商被公认的台积电,包括以下几点:应用材料(技术协作);ASM国际(CVD设备);ASML合作(EUV);EBARA(CMP);日立Kokusai(炉);林(腐蚀);东京电子有限公司(生产坡道支持);富士胶片(CMP材料);球兰(面具空格);信越(硅片);SUMCO(硅片);和东京Ohka Kogyo(光刻材料)。

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扩大其在显示设备行业的努力,电话已经开始接受订单1800年Betelex PICP、干蚀刻系统能够处理的第六代玻璃基板(1500 mm x 1850 mm)。该工具支持五室,以平面电感耦合等离子体模式分辨率的过程。

英特尔有减少股份在ASML从9.96%提高到4.96%,根据一份报告路透。几年前,英特尔,三星和台积电在ASML投资以推动极端紫外线(EUV)光刻技术的发展。

坏消息Veeco。“中国省级高等法院裁定Veeco必须停止制造和销售EPIK 700模型在中国,基于所谓的持有的专利侵权行为阿美科Veeco在中国竞争对手,”报告称KeyBanc资本市场。“我们不认为这个声明是严重影响我们的估计,因为Veeco现在主要销售其下一代金属工具,868年EPIK,在中国。然而,执政党确实强调了竞争日益激烈的环境下,新进入者如已采取有意义的分享,以及如何Veeco的回应是收回份额的成本很低的利润在不断增长的市场。”

效果显著介绍了两个新的模块使其T2000 IPS系统测试高压和大功率设备用于电力列车的电动汽车(EV /高压)。新模块支持大规模并行、高性能测试利用效果显著的多功能销的设计。此外,推出效果显著HA7300刺激测试单元差压传感器,一个测试解决方案在汽车设计。

国家仪器(NI)已经宣布MAC层支持802.11虚拟仪器的通信应用程序框架。无线研究人员可以利用新的多用户MAC层增强802.11应用程序框架超越PHY层来解决复杂的网络级问题,必须解决5 g成为现实。

半报道称,全球半导体制造设备比林斯2017年第三季度达到143亿美元。图设置一个创纪录的季度比林斯,超过了今年第二季度创纪录的水平集。比林斯最近季度比2017年第二季度上涨2%,比去年同期高出30%。

芯片制造商
联华电子公司(联电)宣布,其新加坡工厂12我的水效率奖由新加坡的环境和水资源部。工厂12我成了唯一的新加坡工厂从晶圆部门赢得奖项。

GlobalFoundries和Ayar实验室创业将光学输入/输出(I / O)硅片,已经宣布了一项合作共同开发和商业化硅光子技术解决方案。公司将开发和制造Ayar互补金属氧化物半导体的光学I / O技术,使用女朋友的45纳米CMOS工艺过程。

博通公司继续不请自来的收购高通。博通公司已经通知高通意向的提名选举的11个独立个体高通的董事会。高通已经拒绝了这一报价。

硅实验室将会获得σ设计每股7.05美元在现金交易价值约2.82亿美元,受一定的成交条件。σ设计提供了回家的连接解决方案包括z - wave,一家领先的物联网智能家居解决方案(物联网)技术。

IBM公布了下一代Power Systems服务器将其新POWER9处理器。为计算密集型建造人工智能工作负载,新的POWER9系统能够改善深度学习的训练时间框架近4倍,允许企业构建更精确的人工智能应用程序更快。新POWER9-based AC922电力系统是第一个嵌入pci - express 4.0,下一代英伟达NVLink OpenCAPI,可以加速数据转移相结合,按9.5倍计算速度比PCI-E 3.0基于x86系统。

IEDM新闻
在本周的IEEE国际电子设备会议(IEDM) GlobalFoundries和英特尔的平方,提交论文他们的新逻辑流程。英特尔提供更多细节关于其为了10 nm finFET技术,同时GlobalFoundries讨论其7海里finFET的过程。

在坡道16/14nm过程不断的市场,该行业正在准备下一个节点。事实上,GlobalFoundries,英特尔、三星和台积电赛车彼此船10 nm和/或7纳米技术。

在事件,Imec提出单独与应用材料和林的研究论文。

在一个纸,Imec和应用了第一个功能环振荡器基于横向gate-all-around(棉酚)纳米线设备。横向棉酚基于纳米线场效应管和/或nanosheets有前途的候选人取代finFETs 5 nm / 3海里。

Imec和应用的垂直堆叠棉酚与纳米线场效应晶体管。设备合并原位掺杂source-drain压力和dual-work功能金属大门。它展示了良好的静电控制到最小的门的长度24海里的陡坡65 mv / 75年12月对NMOS和mv / 12月管理办公室。

和以前的工作相比,Imec和应用实施过程改进的浅槽隔离(STI) source-drain (S / D)外延,纳米线/ nanosheet释放和Vt调优。“第一个流程优化的实现是一个罪浅槽隔离(STI)衬垫抑制oxidation-induced翅片变形和改进的形状控制纳米线或nanosheet,“根据Imec。”其次,(应用Selectra原子层蚀刻工具)被用来使纳米线/ nanosheet释放和内部间隔空泡形成具有高选择性和不会造成硅回流。最后,首次报告了环形振荡器电路基于堆叠硅纳米线场效应晶体管,包括双功函数金属门阈值电压控制。”

然后,在一个单独的纸,Imec林研究KU鲁汶提出了一个可能的后续外侧棉酚FETs-the垂直纳米线场效应晶体管。Imec的垂直纳米线场效应晶体管,林和KU还包括垂直nanosheets III-V材料(InGaAs)。

流中,一个模式上形成一个结构使用电子束光刻技术。硬掩模是蚀刻。然后,支柱蚀刻步骤做了一些工具。垂直纳米线直径范围从25纳米到75纳米阵列从1到100纳米线,根据纸。垂直nanosheet横截面范围从37 x 480 nm和18 x 460 nm数组从1到70 nanosheets,根据纸。

“超大规模集成流程兼容,我们演示了自上而下的加工设备记录性能SSmin而言,GmMAX和离子,”根据。

还在IEDM,Leti,一个研究所东航科技,集成混合III-V硅激光器在200 mm晶圆使用标准CMOS工艺流程。

这铺平了道路过渡远离100 mm晶圆和一个基于批量III-V技术过程,这就需要接触贵金属和发射模式。制造流在硅晶光学平面和兼容大规模集成电路。

所需的集成管理一个厚度的硅薄膜混合激光(500海里),和一个薄(300海里)的基线硅晶光学平台,根据Leti。这需要局部增厚非晶硅的硅通过添加200海里通过波纹的过程,根据Leti。激光可以集成在一个成熟的硅光子平台的模块化方法不妥协过程性能基线。

“硅晶光学技术越来越成熟,但这些平台的主要限制是缺乏一个集成光源,”伯特兰从Leti Szelag说。“这个项目表明,激光可以集成在一个成熟的硅晶光学平台的模块化方法不妥协过程性能基线。我们表明,整个过程可以通过一个标准CMOS工艺与常规工艺和材料,而且可以整合所有的光子在大规模的基石。”