BEOL问题10 nm和7海里(第2部分)

半导体工程坐下来讨论问题的线在前沿和克雷格的孩子节点,高级经理和副主任GlobalFoundries”先进技术开发集成单元;高级技术总监保罗•贝瑟林的研究;首席技术官David油炸Coventor;池玉兰简Liu副主任联华电子的先进技术开发模块划分;主任和安东deVilliers模式技术和电子技术人员在东京的高级成员。以下是摘录的谈话。第一部分,点击在这里。

SE:气隙会影响面罩和光刻步骤的数目?

炸:如果你有八个面具一行,通过一个的气隙是一个小的增加。也许你选择三个或四个水平。英特尔现在显示两个。数量小于整个后端。

孩子:但是如果你提供它花费更多,和人设计,整体成本上升。你不能把你的现有设计及气隙。你会得到一些好处,但你肯定不会看到潜力。

SE:目标性能的介电常数为2.2。我们从未实现。该行业一直停留在2.4或2.5。有任何改善的希望吗?

刘:当前性能的材料,我们添加材料内部孔隙度降低性能值。它已经显示出改善。

炸:你要从基础开始k。你要降低衬垫。但如果你能压低基本k,将会有一个优势。使用高性能的逻辑,我们看到,任何方式你可以压低基地k派生产品受益于电容减少。从3.8到3.0是2.5到2.4。每次我们都能挤出一点介质的优势,我们有一个产品从中受益。

孩子模式:过去的好时光,我们可以用一个面具已经一去不复返了。双模式,甚至三重模式已经一去不复返了。我们在一个情况下一切都是单向的,和集成是非常复杂的。如果你想没有大规模的寄生电容,你必须找出如何带走所有的这些假线。主导一切。你可以减少你的k值与空气间隙几乎没有,也不会产生任何影响,因为你有大量寄生电容。我们现在在不同的政权。我们必须解决集成到2.4 k和k 2.45版本很重要。

贝瑟:我见过几个最近的出版物,沿着这条路。一个是出版在空气间隙,将空气差距极大地影响你薄板长度。要一个气隙减少了一半。英特尔是在非常高的水平,他们不必担心。第二件事是是否存在气隙的拉客户。答案是否定的。

刘:有时候有大量沉积k值进入方程。人们不知道散装材料是否会损坏集成后,特别是在干蚀刻和post-etch干净。腐蚀的工作是把这个材料。如果你有一个损坏的层,它可以增加你的有效的k值。它还会影响可靠性。

炸:我已经很难相信替代低k可以从根本上相当于当前性能方案从机械稳定性的角度。有什么信息替代低k幸存的CPI (chip-package-interaction)类型的测试?

deVilliers:这是发表的钌和钴之间的摊牌,例如,减少阻力的下一个大事件。令人兴奋的事情有我们寻找liner-free金属化策略。当你这样做,班轮和导体之间的比例趋于1到0,和你获得所有的衬管横截面积的浪费从阻力的角度来看。所以有一些希望在这方面,还有一些其他出版物到处流传。有一些视野,可以帮助抵抗。此外,我们看到,英特尔在谈论liner-less通过。英特尔现在公开讨论,将有助于抵抗。与liner-less通过,得到via-to-via金属无阻力。通过liner-free,你走得更远。通过改变材料,你走得更远。 That implies quite a good road map for lowering resistance at the back end.

SE:当我们开始下一个节点,从7 5 nm ?数量不同,因为不同的铸造厂使用不同的术语。但当我们从一个节点移动到下一个,在后台更改什么?

刘:如果我们可以使用钴通过,它会给我们很多的地址空间RC延迟。如果你能通过使用钴作为材料,你可以增加高度。如果你能做到这一点,那么你可以降低脆弱性和降低电容。

炸:减少衬垫厚度或liner-less。有减少电影材料和减少绝对的电阻材料。扩展的目的是可以实现所有这些事情在一个节点,找一个实际的好处,但是如果你有一个足够大的堆那些他们所做的不过是把电阻固定规模。你只需要一个足够大的堆这些事情。摆脱底部的衬垫的通过是最令人印象深刻的。摆脱班轮两边仍能工作。你拿回你的横截面采用周围性血管疾病金属化。但它的底部通过堆积,而真正惩罚通过阻力。这不仅仅是横截面积的损失。这是不得不去通过这些衬垫下面的金属。这是一个巨大的规模效益,因为它会让你得到等效路径阻力更小的尺寸。

SE:我们一直在研究EUV因为45纳米。如果是在商业上可行的实现形式,它在后台发生了什么变化?

炸:它从根本上影响面具数量和成本。首先我们会看到EUV削减。现在我们做芯棒通过削减。这是八个面具。如果我们看到EUV,它将被削减,这将与一个消灭三层。和下一个地方你会看到它是通过,你可以用一个消灭四层。你可以看到显著的平马上通过减少后端。

孩子:EUV还没有准备好。这是到达那里。但是我们都需要问的问题是,“什么时候会准备好了吗?现在,我们能做的削减和漏洞。我们有流程,有能力。我们能做金属直接模式?不是真的。我们没有。所以你有这个时间表到达这一点,问题是,当我们进入下一个节点,是EUV准备好了吗?如果是这样,我们仍然需要采取多个模式与EUV。假设现在是我们,我们可以做一个金属模式和替换所有的模式,我们彼此SADP,SAQP或和削减。你把两个或三个面具的方程。但是如果我们的球场已经回到SADP。成本效益消失。所以我们可以看到一个EUV效益,但目前还不清楚如果我们能意识到这一点。

炸:主要有两个领域的EUV节约成本。一个是通过敲打出来。这是有可能的EUV之前准备好。人们仍在开发设计规则来摧毁一些传球,这是纯粹的制造业成本节约时可能发生。但真正的好处是当你实际上计划EUV开发利用模式的2 d设计规则富达的EUV,所以你赢了密度的角度。这不仅仅用光刻和模式方案。你设计更严格,因为你利用严格的忠诚。

deVilliers:但如果你看看模式忠诚,有些事情EUV确实非常,非常好。有事情EUV不做得很好。EUV不能很好地做的事情之一是12海里半个球场l。如果你需要这样的忠诚,我们还没有得到它从EUV工业级应用程序空间。我们需要找到的地方,它有一个金融技术的好处,然后我们可以追求的激情。但模式富达票面价值的数据,当你已经1 d是一个美丽的随机间隔器的好处,人们不一定会在一夜之间下降。

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