标签:多重图像

洞察高级DRAM电容器模式:评估使用虚拟制造过程窗口
通过Qingpeng王10月- 20,2022 -评论:0

连续设备扩展,过程窗口变得越来越窄,由于小特征尺寸和更大的处理步骤可变性[1]。半导体发展的一个关键任务在研发阶段是选择一个好的集成方案相对较大的窗口过程。当晶片测试数据是有限的,评估不同的集成方案的过程窗口可以…»阅读更多

BEOL问题10 nm和7海里(第2部分)
通过埃德·斯珀林- 04年1月,2017 -评论:3

半导体工程坐下来讨论问题的线在前沿和克雷格的孩子节点,高级经理、副主任(getentity id = " 22819 " e_name = " GlobalFoundries”]先进技术开发集成单元;高级技术总监保罗•贝瑟(getentity id = " 22820 "评论=“研究”);首席技术官David炸(getentity id = " 22210 " e_name……»阅读更多

更深处英特尔
通过马克LaPedus8月- 22,2016 -评论:5

高级研究员马克•波尔和英特尔、流程架构和集成主管和Zane球,在技术和制造集团副总裁英特尔和英特尔co-general经理定制铸造,坐下来的晶体管和半导体工程讨论未来的发展方向,过程技术,铸造业务和包装。以下是摘录的……»阅读更多

ECOs和多模式:这是可以做到的
通过大卫阿伯克龙比- 4月21日,2016 -评论:0

大卫•阿伯克龙比和亚历克斯·皮尔森已经有很多讨论关于如何分解(颜色)布局先进流程节点需要多重图像(MP)。然而,被严重忽视的一个主题是如何有效地更改设计,已经颜色,甚至贴出和加工。我们会像所有设计工作第一次通过……»阅读更多

7海里后什么工作吗?
通过马克LaPedus8月- 20,2015 -评论:3

Steegen,高级副总裁处理技术[getentity id = " 22217 " e_name =“Imec”],这个总部的研发组织,坐下来与半导体工程讨论过程技术和晶体管的未来趋势一直到3海里。SE:有人说成熟的半导体行业。然而,我们有比以往更多的设备类型和选项,对吧?Steegen:…»阅读更多

为什么DSA 7海里和低于成本效益吗
通过拥有一系列马- 7月30日,2015 -评论:0

即将到来的7海里流程节点提出了严峻的挑战对印刷适性和成本。7海里和下面,多模式是必需的,使生产过程更加昂贵,要求更多的面具。控制成本,任何可供选择的技术提供等价收益率应该探索模式较少的步骤。一个很有前景的选择是使用定向自组装(…»阅读更多

来7海里
通过埃德·斯珀林- 09年7月,2015 -评论:0

包括IBM、在内的一个财团公司GlobalFoundries和三星已经推出了第一个7纳米测试芯片使用硅锗作为底物,利用EUV多层模式。虽然这并不意味着成本方程更接近解决,或者超过少数几家公司很快将推动该节点使用汞灯作为基质材料,它cre……»阅读更多

打破从墙得病的挑战
通过凯瑟琳德比郡——6月22日,2015 -评论:3

的日子芯片设计者可以把带“上墙”到制造业早已过去。在过去几代技术,日益严格的过程包设计师不得不适应其电路结构与制造过程。缺乏接班人193纳米光刻技术,该行业已经转向日益复杂的决议enhancemen……»阅读更多

10 nm FinFETs崎岖不平的道路
通过马克LaPedus——5月21日,2015 -评论:0

铸造供应商目前增加16 nm / 14 nm (getkc id = " 185 " kc_name =“finFET”)市场的过程。供应商正在彼此的业务领域,虽然从平面迁移finFETs预计将是一个缓慢而昂贵的过程。然而,尽管在16 nm / 14纳米的挑战,供应商正在准备下一个战斗在铸造流行10 nm点头……»阅读更多

技术讨论:14 nm
通过埃德·斯珀林——5月21日,2015 -评论:0

拉吉卜降服数字设计方法技术领导GlobalFoundries 14 nm finFETs有什么改变,包括着色双模式,新的角落,米勒效应,时间问题和可变性。[youtube视频= Yk6jSKCtsjU]»阅读更多

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