处理finFETs问题和解决方案。
拉吉卜降服数字设计方法技术领导GlobalFoundries 14 nm finFETs有什么改变,包括着色双模式,新的角落,米勒效应,时间问题和可变性。
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传感器技术仍在不断发展,和功能正在被讨论。
问题包括设计、制造、包装、和可观察性都需要解决这种方法成为主流之前对于许多应用程序。
光子学、可持续发展和人工智能芯片吸引投资;157家公司筹集了超过24亿美元。
IP工业正在经历一些转换,将很难使新公司进入市场,并为那些仍然更加昂贵。
中国禁止微米芯片;北美半导体会议形成;应用材料计划40亿美元研发车间;苹果和Broadcom 5 g协议;DRAM收入下降;新的低合金互联10纳米以下。
技术和业务问题意味着它不会取代EUV,但光子学、生物技术和其他市场提供足够的增长空间。
术语往往交替使用时,他们非常不同的技术和不同的挑战。
商业chiplet市场仍在遥远的地平线,但公司更早起有限的伙伴关系。
现有的工具可以用于RISC-V,但他们可能不是最有效或高效。还有什么需要?
行业取得了理解老龄化如何影响可靠性,但更多的变量很难修复。
半导体制造的关键支点和创新点。
工具成为硅/锗硅堆更具体,3 d NAND和保税晶片对。
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