IBM, GlobalFoundries和三星取得了一个突破。
包括IBM、在内的一个财团公司GlobalFoundries和三星已经推出了第一个7纳米测试芯片使用硅锗作为衬底,用EUV多层模式。
虽然这并不意味着成本方程更接近解决,或者超过少数几家公司很快将推动该节点使用汞灯作为基质材料,它创建一个芯片制造商在技术上更可行的选择。或许更重要的是,它表明EUV至少功能,即使它并不完美或足够快。大多数公司以来一直期待EUV取代193海里浸泡45 nm。它是有用的,值得庆祝。是否会回滚到10纳米甚至14/16nm还有待观察,但至少现在有进展的具体证据。
在7海里,即使EUV需要双模式。但比较,使用193 nm octa-patterning浸没式光刻技术,这种技术的吸引力是显而易见的。大多数公司在先进的工作节点是舒适与双模式的颜色。使用EUV 7海里将是一个相当简单的过渡,如果成本是合理的。成本将在前期的设备,测量需求,所花费的时间处理晶片。
仍有其他的选择做这项工作。定向自组装在开发了同一集团公司,大概可用于至少部分的金属层。还有工作进行中涉及选择性沉积。
从材料的角度来看,锗硅已经使用了一段时间,和一直领先的候选人7和5 nm芯片。是否会保持领先,还是需要取而代之的是通用电气或III-V材料最先进的节点,使电子更容易通过材料,在这一点上是未知的。量子效应将在7海里变得更加突出,影响性能,力量,整个设计流程。电子的运动是在这些几何图形不一致,这意味着他们进入和离开等设备内存不可预测的利率。
仍然能够开发7纳米芯片实验室这种情况下,纽约州立大学理工学院的大学纳米科学与工程是一个很大的进步为提高性能通过更高的密度,降低电力(尽管动态电源管理将是一个日益严重的问题),当然开放更多房地产死。
也有可能7海里死将被用作逻辑平台2.5 d和3 d-ics,所以记忆可以定位接近处理元素使用广泛的互联,以减少阻力。堆死的优点之一是,个人死在堆栈可以开发流程节点,所以模拟传感器可以开发在55纳米和记忆可以在相同的死亡或在一个不同的死亡。
视图从60000英尺,是摩尔定律又滚,即使它需要几个推论的定义。在16/14nm铸造厂是全功能的,他们正在研究10 nm作为下一个合乎逻辑的步骤。7海里现在看起来可能,这意味着更多的活动与EDA和IP供应商在不久的将来,从铸造厂寻求开发流程,提高产量,从设备制造商提高晶圆通过每小时移动的数量更少的缺陷。这是一个巨大的操作有很多令人难以置信的复杂的工作部件,而且看起来他们都要重新开始移动。打开香槟庆祝。
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